| 講演名 | 1998/10/30 ジメチルシランを用いたシリコン基板上への3C-SiCエピタキシャル成長 安井 寛治, 木村 雅秀, Hashim Abdul Manaf Bin, 赤羽 正志, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 水素で希釈したジメチルシランを原料に用い、トライオードプラズマCVD法により1100℃以下でSi基板上にSiC膜をエピタキシャル成長させた。空間的アフターブロー領域の電子温度、空間電位等のプラズマパラメータを高周波対応のラングミューアプローブを用いて測定し、グリッドバイアスによるそれらの特性を調べると共に、得られたSiC膜の結晶性、配向性を調べた。グリッド負バイアス時、グリッドにバイパスコンデンサを接続し、アフターグロー領域の空間電位の時間的変動を抑制することで、約0.2eVまで低温化できるが、このような低電子温度環境下で表面モフォロジーの良好なSiCエピタキシャル膜が得られた。 |
| 抄録(英) | 3C-SiC epitaxial films were grown on Si substrates by triode plasma CVD using dimethylsilane diluted with hydrogen as the source gas. Influences of the grid bias on the plasma parameters such as electron temperature, plasma space potential and its rf fluctuation in the afterflow plasma region were measured using an rf compensasted Langmuir probe. The properties of the SiC films grown under negative grid bias were measured. SiC epitaxial films with good surface morphology were obtained. |
| キーワード(和) | 炭素珪素 / エピタキシャル成長 / トライオードプラズマCVD |
| キーワード(英) | silicon carbide / epitaxial growth / triode plasma CVD |
| 資料番号 | CPM98-124 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 1998/10/30(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ジメチルシランを用いたシリコン基板上への3C-SiCエピタキシャル成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Epitaxial Growth of 3C-SiO Films on Si by Triode Plasma CVD Using Dimethylsilane |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 炭素珪素 / silicon carbide |
| キーワード(2)（和/英） | エピタキシャル成長 / epitaxial growth |
| キーワード(3)（和/英） | トライオードプラズマCVD / triode plasma CVD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 安井 寛治 / Kanji YASUI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学工学部電気系 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 木村 雅秀 / Masahide KIMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学工学部電気系 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | Hashim Abdul Manaf Bin / Abdul Manaf Bin Hashim |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学工学部電気系 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 赤羽 正志 / Tadashi AKAHANE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学工学部電気系 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 発表年月日 | 1998/10/30 |
| 資料番号 | CPM98-124 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 377 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |