講演名 1998/10/30
非線形光学結晶Ag(AlGa)S_2のGaAs基板上でのエピタキシャル成長
松田 茂, 倉沢 正樹, 本郷 徳志, 坪井 望, 小林 敏志, 大石 耕一郎, 金子 双男,
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抄録(和) 多元蒸着法により構成元素を原料に用いてGaAs(100)基板上にAg(Al_xGa_<1-x>)S_2エピタキシャル成長層(x<0.3)を初めて作製した。I族とIII族の原料供給比の最適化による化学量論組成制御の向上が, a軸配向領域および{112}双晶領域の発生を抑制することがわかった。c軸配向が支配的な成長層(厚さ0.3~0.5μm)では, 格子不整合による2次元圧縮歪みに比べ, 熱膨張係数差による2次元引っ張り歪みが支配的であることがわかった。反射率異常スペクトルの回折から, 励起子領域で観測された発光は自由励起子再結合によると考えられる。これは成長層が光学的に良質であることを示している。
抄録(英) Epitaxial growth of Ag (Al_xGa_<1-x>)S_2 nonlinear optical crystal with x<0.3 is demonstrated for the first time on GaAs (100) substrate by a multisource evaporation method. Generation of oriented domains with a-axis normal to the substrate and 180℃-rotated {112} twin crystals is reduced by control of I/III stoichiometry ratio. In epitaxial layers oriented toward c-axis in the thickness region from 0.3 to 0.5 μm, biaxial tensile thermal strain is more dominant than biaxial compressive mismatch strain. According to analysis of reflectance anomaly, a noticeable emission in the exciton region is identified as a free exciton emission, indicating good quality of the layers.
キーワード(和) エピタキシャル成長 / カルコパイライト化合物 / Ag(AlGa)S_2 / 非線形光学材料 / 格子歪み / 励起子発光
キーワード(英) epitaxial growth / chalocopyrite compound / Ag (AlGa) S_2 / nonlinear optical material / lattice strain / exciton emission
資料番号 CPM98-122
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 1998/10/30(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 非線形光学結晶Ag(AlGa)S_2のGaAs基板上でのエピタキシャル成長
サブタイトル(和)
タイトル(英) Epitaxial Growth of Ag(AlGa)S_2 Nonlinear Optical Crystal on GaAs Substrate
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) エピタキシャル成長 / epitaxial growth
キーワード(2)(和/英) カルコパイライト化合物 / chalocopyrite compound
キーワード(3)(和/英) Ag(AlGa)S_2 / Ag (AlGa) S_2
キーワード(4)(和/英) 非線形光学材料 / nonlinear optical material
キーワード(5)(和/英) 格子歪み / lattice strain
キーワード(6)(和/英) 励起子発光 / exciton emission
第 1 著者 氏名(和/英) 松田 茂 / Shigeru MATSUDA
第 1 著者 所属(和/英) 新潟大学大学院自然科学研究科
Graduate School of Science and Technology, Niigata University
第 2 著者 氏名(和/英) 倉沢 正樹 / Masaki KURASAWA
第 2 著者 所属(和/英) 新潟大学大学院自然科学研究科
Graduate School of Science and Technology, Niigata University
第 3 著者 氏名(和/英) 本郷 徳志 / Noriyuki HONGO
第 3 著者 所属(和/英) 新潟大学工学部
Faculty of Engineering, Niigata University
第 4 著者 氏名(和/英) 坪井 望 / Nozomu TSUBOI
第 4 著者 所属(和/英) 新潟大学工学部
Faculty of Engineering, Niigata University
第 5 著者 氏名(和/英) 小林 敏志 / Satoshi KOBAYASHI
第 5 著者 所属(和/英) 新潟大学工学部
Faculty of Engineering, Niigata University
第 6 著者 氏名(和/英) 大石 耕一郎 / Koichiro OISHI
第 6 著者 所属(和/英) 長岡工業高等専門学校
Nagaoka National College of Technology
第 7 著者 氏名(和/英) 金子 双男 / Futao KANEKO
第 7 著者 所属(和/英) 長岡工業高等専門学校
Faculty of Engineering, Niigata University
発表年月日 1998/10/30
資料番号 CPM98-122
巻番号(vol) vol.98
号番号(no) 377
ページ範囲 pp.-
ページ数 8
発行日