| 講演名 | 1998/10/29 Cu/SiO_2間に介在させたV-N膜の界面反応と拡散挙動 坂上 正和, 武山 真弓, 野矢 厚, |
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| 抄録(和) | SiO_2上へのCu配線層の堆積を目的として、界面にV-N介在層を適用した。Vを用いた場合では、SiO_2上に直接Cuを堆積させた際に問題となるCuの基板への拡散とCu/SiO_2間の弱い付着力を改善するということは可能であるが、熱処理を行うことで、Vが試料表面で偏折し、さらに成膜時以上に介在層/SoO_2界面の反応が進行してしまうという問題を有する。一方、V-Nを用いた系では、V単体を用いたときの問題点を改善することができ、850℃の熱処理後でもCu配線層及びSiO_2層を安定に保持できることがわかった。この様な優れた熱的安定性は、材料自体の特性に加えて、V-N膜の構造的・化学的な安定性によるものと考えられた。 |
| 抄録(英) | The interposed V-N layer was employed at the Cu/SiO_2 interface to improve the poor adhesion of Cu to SiO_2 and Cu diffusion into SiO_2. the examined Cu.V-N/SiO_2/Si system was farely stable upon annealing at 850℃ for 1h reducing the pile-up of V at the Cu surface and the reaction at the SiO_2 surface which were observed when the V layer was used as a barrier. These phenomena were ascribed to the chemical stability of V-N compound and a fine structure of the prepared V-N layer. |
| キーワード(和) | Cu配線 / 介在層 / 付着力 / 拡散バリア / V-N薄膜 |
| キーワード(英) | Cu metallizatioh / interlayer / adhesion promoter / diffusion barrier / V-N thin film |
| 資料番号 | CPM98-119 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1998/10/29(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Cu/SiO_2間に介在させたV-N膜の界面反応と拡散挙動 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Diffusion and reaction of V-N thin film as an interposed layer at the Cu/SiO_2 interface |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cu配線 / Cu metallizatioh |
| キーワード(2)（和/英） | 介在層 / interlayer |
| キーワード(3)（和/英） | 付着力 / adhesion promoter |
| キーワード(4)（和/英） | 拡散バリア / diffusion barrier |
| キーワード(5)（和/英） | V-N薄膜 / V-N thin film |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 坂上 正和 / Masakazu SAKAGAMI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部電気電子工学科 Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 武山 真弓 / Mayumi B. TAKEYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部電気電子工学科 Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野矢 厚 / Atsushi NOYA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部電気電子工学科 Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1998/10/29 |
| 資料番号 | CPM98-119 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 376 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |