| 講演名 | 1998/10/29 (001)Siと(111)Si上へのAl/HfN積層膜の連続単配向成長条件の検討 新海 聡子, 佐々木 克孝, |
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| 抄録(和) | 超高真空下の適切なスパッタ条件下で(001)及び(111)Si上に作製したHfN膜は、それぞれ(100)及び(111)面が単配向成長し、約27μΩcmの低い抵抗率が得られる。これらのHfN膜な、SiとHfNの小さなミスマッチに起因してヘテロエピタキシャル成長しているものと予測される。また、エピタキシャル成長した(111)HfN上にEM耐性に優れたAl(111)面を単配向成長させ得れば、Alメタライザーション技術の高信頼化が図れるものと期待できる。そこで我々は、この事を確認するためにSi上に堆積させたHfN膜をXRDの極点図形により評価した。その結果はHfN膜はHfN(100)[110]//Si(001)[110]及びHfN(111)[200]//Si(111)[200]の方位関係でエピタキシャル成長し、更にHfN膜上に堆積させたAlも単配向成長することがわかった。 |
| 抄録(英) | HfN films prepared on (001) Si and (111) Si under the optimum sputtering conditions using a UHV system grow in single-oriented states, respectively, and have about 27 μ Ωcm. It is expected that these HfN films are epitaxial growth films, because of the small mismatches between HfN and Si. In particular, if Al (111) plane with excellent EM resistance can be grown in a single-oriented state on HfN film, we expect that the reliability of Al metallization technology is improved. Therefore, the pole figures of HfN films deposited on Si were investigated by XRD analysis in order to confirm this. It is revealed that the HfN films are grown epitaxially with the relations of HfN (100) [110]//Si (001)[110] and HfN (111) [200]//Si (111) [200], respectively, and (111) Al film also grows in a single-oriented state on (111) HfN film. |
| キーワード(和) | エピタキシャル成長 / 単配向成長 / XRD極点図形 / 低抵抗率 / EM耐性 |
| キーワード(英) | epitaxial growth / single-oriented growth / XRD pole figure / low resistivity / EM resistance |
| 資料番号 | CPM98-118 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1998/10/29(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | (001)Siと(111)Si上へのAl/HfN積層膜の連続単配向成長条件の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth conditions of Al/HfN bilayered films with successive signle orientatin on (001) Si and (111) Si |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | エピタキシャル成長 / epitaxial growth |
| キーワード(2)（和/英） | 単配向成長 / single-oriented growth |
| キーワード(3)（和/英） | XRD極点図形 / XRD pole figure |
| キーワード(4)（和/英） | 低抵抗率 / low resistivity |
| キーワード(5)（和/英） | EM耐性 / EM resistance |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 新海 聡子 / Satoko Shinkai |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部機能材料工学科 Department of Materials Science, Faculty of Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐々木 克孝 / Katsutaka Sasaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部機能材料工学科 Department of Materials Science, Faculty of Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1998/10/29 |
| 資料番号 | CPM98-118 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 376 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |