| 講演名 | 1998/10/29 スパッタ法による磁気記録媒体用Cr下地膜の微細構造制御法の検討 清水 英彦, 稲田 晋, 坂田 岳志, 星 陽一, 加藤 景三, 金子 双男, |
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| 抄録(和) | 到達真空度が10^<-9>Torr台の対向ターゲット式スパッタ装置及び到達真空度が10^<-7>Torr台のマグネトロンスパッタ装置を用いて約36nm/minの堆積速度でDCスパッタによりガラス基板上に厚さ約10nm～40nmのCr薄膜を堆積した。その結果、通常のマグネトロンスパッタ装置では250℃の基板温度で完全な(100)配向膜を得ることができなかったのに対し、対向ターゲット式スパッタ装置では、10nmの厚さでも完全な(100)配向膜を得ることができた。また、対向ターゲット式スパッタ法で得られたCr膜の結晶粒径はマグネトロンスパッタ法の膜と比較して、半分以下と小さく、(100)配向性が良好で、かつ小さな粒径の膜が得られることが明らかとなった。 |
| 抄録(英) | In this study, the Cr thin films were deposited on glass slide substrates at 36 nm/min of deposition rate using an DC facing targets sputtering (FTS) system and a conventional DC magnetron sputtering (MS) system. The base pressure of the FTS system was less than 7.0×10<-9> Torr and that of the MS system was less than 4.5×10<-7> Torr. The Cr film deposited at 250℃ by the MS system had poor (100) orientation, whereas the Cr film deposited by the FTS system had excellent (100) texture. The Cr film deposited by the FTS system had a much smaller crystallite size below 15 nm than the Cr film deposited by the MS system which had crystallite size of about 25 nm. |
| キーワード(和) | 対向ターゲット式スパッタ法 / マグネトロンスパッタ法 / Cr薄膜 / Arガス圧 / (100)配向性 / 結晶粒径 |
| キーワード(英) | FTS system / MS system / Cr thin film / Ar gas pressure / (100) orientation / crystallite size |
| 資料番号 | CPM98-117 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1998/10/29(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | スパッタ法による磁気記録媒体用Cr下地膜の微細構造制御法の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Control of microstructure of Cr underlayer for magnetic recording media by sputtering |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 対向ターゲット式スパッタ法 / FTS system |
| キーワード(2)（和/英） | マグネトロンスパッタ法 / MS system |
| キーワード(3)（和/英） | Cr薄膜 / Cr thin film |
| キーワード(4)（和/英） | Arガス圧 / Ar gas pressure |
| キーワード(5)（和/英） | (100)配向性 / (100) orientation |
| キーワード(6)（和/英） | 結晶粒径 / crystallite size |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 清水 英彦 / H. Shimizu |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 新潟大学 Niigata University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 稲田 晋 / S. Inada |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工芸大学 Tokyo Institute of Polytechnics |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 坂田 岳志 / T. Sakata |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工芸大学 Tokyo Institute of Polytechnics |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 星 陽一 / Y. Hoshi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工芸大学 Tokyo Institute of Polytechnics |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 加藤 景三 / K. Kato |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 新潟大学 Niigata University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 金子 双男 / F. Kaneko |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 新潟大学 Niigata University |
| 発表年月日 | 1998/10/29 |
| 資料番号 | CPM98-117 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 376 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |