| 講演名 | 1998/10/29 スパッタ法によるITO薄膜の低温成膜法の検討 大木 竜磨, 星 陽一, |
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| 抄録(和) | 本研究では、ターゲットから放出される酸素負イオンに起因した高エネルギー粒子によって膜表面の衝撃がない対向ターゲット式スパッタ法と低いスパッタ電圧で成膜することによって高エネルギー粒子の基板衝突を抑制することが可能と考えられたrf・dc結合型マグネトロンスパッタ法を用いてITO薄膜を耐熱性の低いアクリル基板上に堆積することを試みた。その結果、対向ターゲット式スパッタ法は良好な特性を持つ低抵抗のITO薄膜を作製するために有効な堆積方法であること、低電圧でスパッタできるrf・dc結合型マグネトロンッスパッタ法は高エネルギー粒子の基板衝撃を抑制でき、良好はITO薄膜を作製する方法として有効であることがわかった。 |
| 抄録(英) | ITO thin films were deposited on acryl substrate by using a facing targets sputtering system. The films with a resistivity as low as 5×10^<-4>Ωcm were obtained by the sputtering, even if the sputtering voltage was higher than 500 V. An rf-dc coupled magnetron sputtering system was also used to deposit the film at a sputtering voltage below 100V. The resistivity of the film deposited by the magnetron sputtering decreased steeply as the sputtering voltage decreases from 300 V to 100 V, and the minimum resistivity was as low as 5×10^<-4>Ωcm. The smoothness of the film surface was also significantly improved by decreasing the sputtering voltage. These results indicate that the bombardment of high energy oxygen atoms to the film surface should be suppressed to obtain a film with low resisitivity. |
| キーワード(和) | ITO薄膜 / rf-dc結合型マグネトロンスパッタ / 対向ターゲット式スパッタ |
| キーワード(英) | ITO film / rf-dc coupled magnetron sputtering / facing targets sputtering |
| 資料番号 | CPM98-115 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1998/10/29(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | スパッタ法によるITO薄膜の低温成膜法の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | ITO films deposition examine with low temperature by sputtering |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ITO薄膜 / ITO film |
| キーワード(2)（和/英） | rf-dc結合型マグネトロンスパッタ / rf-dc coupled magnetron sputtering |
| キーワード(3)（和/英） | 対向ターゲット式スパッタ / facing targets sputtering |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大木 竜磨 / R. Ohki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工芸大学工学部 Faculty of Engineering, Tokyo Institute of Polytechnics |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 星 陽一 / Y. Hoshi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工芸大学工学部 Faculty of Engineering, Tokyo Institute of Polytechnics |
| 発表年月日 | 1998/10/29 |
| 資料番号 | CPM98-115 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 376 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |