講演名 1998/10/29
SrAl_2O_4:EU薄膜の作製と熱刺激発光特性
傅井 達, 上村 拓也, 小倉 行博, 加藤 景三, 新保 一成, 金子 双男, 太田 雅壽, 川上 貴浩,
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抄録(和) 本研究では, 粉末で強い蛍光を示すことが知られているSrAl_2O_4:EU, Dyの薄膜化を目指す準備段階として、対向ターゲット式RFスパッタ法を用いてSrAl_2O_4のスパッタリング薄膜の作製を試みてきた。その結果、Si基板上に堆積されたスパッタ薄膜は、還元性ガス(H_2+Ar)雰囲気中においてアニールすることで、約520nmに発光ピークを持つフォトルミネセンスと長残光性蛍光が観測された。また、作製されたスパッタ薄膜の熱ルミネセンス(TL)特性を観測し、残光特性を調べた。更に詳しい残光特性と評価するためパーシャル・ヒーティング(PH)法によるTL測定(PH-TL測定)を行い残光特性に関するトラップ分布を求めた。
抄録(英) SrAl_2O_4 activated with Eu, that is, one of new fluorescent materials with oong decay time, was deposited on Si substrates using an RF sputtering technique with facing targets. The as-deposited SrAl_2O_4 films did not show any photoluminescence. However a photoluminescent peak at about 520nm was observed after annealing in reducing (Ar+H_2) gas. The photoluminescence and the thermoluminescence (TL) properties have been invgestigated. The TL spectra in a higher temperature region, which contribute for the long phosphorescence, were measured by the partial heating technique and the distributed trap depths and the lifetimes were evaluated.
キーワード(和) SrAl_2O_4:EU / 対向ターゲット式RFスパッタ / フォトルミネセンス / 熱ルミネセンス / パーシャル・ヒーティング法 / トラップ
キーワード(英) SrAl_2O_4 : EU / RF sputtering technique with facing targets / photoluminescence / thermoluminescence / partial heating technique / trap
資料番号 CPM98-113
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 1998/10/29(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) SrAl_2O_4:EU薄膜の作製と熱刺激発光特性
サブタイトル(和)
タイトル(英) Preparation and Thermoluminescence Properties of SrAl_2O_4 : EU Thin Films
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) SrAl_2O_4:EU / SrAl_2O_4 : EU
キーワード(2)(和/英) 対向ターゲット式RFスパッタ / RF sputtering technique with facing targets
キーワード(3)(和/英) フォトルミネセンス / photoluminescence
キーワード(4)(和/英) 熱ルミネセンス / thermoluminescence
キーワード(5)(和/英) パーシャル・ヒーティング法 / partial heating technique
キーワード(6)(和/英) トラップ / trap
第 1 著者 氏名(和/英) 傅井 達 / I. Tsutai
第 1 著者 所属(和/英) 新潟大学大学院自然科学研究科
Graduate School of Science and Technology, Niigata University
第 2 著者 氏名(和/英) 上村 拓也 / T. Kamimura
第 2 著者 所属(和/英) 新潟大学大学院自然科学研究科
Graduate School of Science and Technology, Niigata University
第 3 著者 氏名(和/英) 小倉 行博 / Y Ogura
第 3 著者 所属(和/英) 新潟大学大学院自然科学研究科
Graduate School of Science and Technology, Niigata University
第 4 著者 氏名(和/英) 加藤 景三 / K. Kato
第 4 著者 所属(和/英) 新潟大学大学院自然科学研究科
Graduate School of Science and Technology, Niigata University
第 5 著者 氏名(和/英) 新保 一成 / K. Shinbo
第 5 著者 所属(和/英) 新潟大学工学部
Faculty of Engineering, Niigata University
第 6 著者 氏名(和/英) 金子 双男 / F. Kaneko
第 6 著者 所属(和/英) 新潟大学工学部
Faculty of Engineering, Niigata University
第 7 著者 氏名(和/英) 太田 雅壽 / M. Ohta
第 7 著者 所属(和/英) 新潟大学工学部
Faculty of Engineering, Niigata University
第 8 著者 氏名(和/英) 川上 貴浩 / T. Kawakami
第 8 著者 所属(和/英) 新潟大学工学部
Faculty of Engineering, Niigata University
発表年月日 1998/10/29
資料番号 CPM98-113
巻番号(vol) vol.98
号番号(no) 376
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日