| 講演名 | 1998/8/6 酸化膜中のGeナノ結晶成長とその電気的特性評価 佐久間 盛敬, 福田 永, 野村 滋, |
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| 抄録(和) | 窒素ガス雰囲気中、600℃～1000℃で有機金属分解法(MOD)によりシリコン酸化膜中にゲルマニウム微結晶を形成し、シリコン酸化膜/ゲルマニウム/シリコン酸化膜量子井戸構造を作製した。as-depositedでは、ゲルマニウムは非晶質状態であったが、アニールによってゲルマニウムは酸化膜中で結晶化した。また、ゲルマニウム微結晶のサイズは5nm以下となり、アニール温度の上昇に伴ってゲルマニウムの結晶化がさらに進むことが分かった。900℃以上のアニールでは、よりよい電気的特性(C-V特性)を示した。したがって、シリコン酸化膜中にゲルマニウム微結晶を成長させることによりデバイスへの応用が十分期待できるものと考えられる。 |
| 抄録(英) | The Ge-nanocrystals have been formed in silicon dioxide films using metal-organic decomposition(MOD)method at temperatures ranging from 600℃ to 1000℃ in N_2 ambient and the SiO_2/Ge/SiO_2 quantum well structures were fabricated. As-deposited Ge-nanocrystals was an amorphous state but were crystallized after annealing treatments. The Ge-nanocrystals were progressively crystallized with increasing annealing temperature. Capacitance-Voltage(C-V)characteristics showed good electrical properties at annealing temperature above 900℃. The quantum well devices whose Ge-nanocrystal size is within 5nm are expected to memory device application. |
| キーワード(和) | 有機金属分解法 / ゲルマニウム / 微結晶 / 量子井戸 |
| キーワード(英) | metal-organic decomposition / Germanium / nanocrystal / quantum well |
| 資料番号 | CPM98-66 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1998/8/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 酸化膜中のGeナノ結晶成長とその電気的特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth and Electrical Characteristics of Ge-nanocrystals in SiO_2 Films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機金属分解法 / metal-organic decomposition |
| キーワード(2)（和/英） | ゲルマニウム / Germanium |
| キーワード(3)（和/英） | 微結晶 / nanocrystal |
| キーワード(4)（和/英） | 量子井戸 / quantum well |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐久間 盛敬 / Shigeyuki SAKUMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty on Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 福田 永 / Hisashi FUKUDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty on Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野村 滋 / Shigeru NOMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty on Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1998/8/6 |
| 資料番号 | CPM98-66 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 236 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |