| 講演名 | 1998/8/6 Cu/SiO_2間におけるNb-Nバリヤ層の適用 坂上 正和, 武山 真弓, 野矢 厚, |
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| 抄録(和) | SiO_2上のCu配線における介在層に、Cuの拡散を抑制し、かつ付着力を得ることを目的としてNb-Nを適用した。Nb-N膜を用いることでCuのSiO_2基板方向への拡散を800℃という熱処理においても抑制し、Nb膜を用いたときに問題となったNbの試料表面への拡散も見られなかった。また、Nb-N膜の成膜時にNb-N/SiO_2界面で酸化還元反応が生じており、その反応は熱処理によっても進行せずに安定な界面が得られていた。Nb膜を介在層として適用した結果と比較すると、拡散・反応に対する熱的な安定度は増したものの、Cu(111)面の優位配向についてはNb膜よりも劣る結果となった。このような、拡散・反応挙動の差はNbがNbNという化合物を形成していることによるものと考えられる。 |
| 抄録(英) | The properties of the Nb-N films are examied as diffusion barriers and adhesion-promoting layers between Cu and SiO_2. The Cu/Nb-N/SiO_2/Si system is stable up to the temperature of 800℃ for 1h, without the diffusion of Nb toward the Cu surface. Although the partial reduction of SiO_2 at the Nb-N/SiO_2 interface was observed during the sputter-deposition of the Nb-N layer, it did not proceed even after annealing at 800℃ for 1h. As compared with the system using the Nb layer, the system using the Nb-N layer has excellent properties for realizing the thermally stable system with reducing diffusion of Nb, however, the preferred orientation of Cu(111)is rather poor. |
| キーワード(和) | Cu配線 / 拡散バリア / 付着力 / NbN薄膜 / 介在層 |
| キーワード(英) | Cu metallization / diffusion barrier / adhesion promoter / NbN thin film / interlayer |
| 資料番号 | CPM98-65 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1998/8/6(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Cu/SiO_2間におけるNb-Nバリヤ層の適用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Application of Nb-N film as an interlayer between Cu and SiO_2 |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cu配線 / Cu metallization |
| キーワード(2)（和/英） | 拡散バリア / diffusion barrier |
| キーワード(3)（和/英） | 付着力 / adhesion promoter |
| キーワード(4)（和/英） | NbN薄膜 / NbN thin film |
| キーワード(5)（和/英） | 介在層 / interlayer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 坂上 正和 / Masakazu SAKAGAMI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部電気電子工学科 Dept.of Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 武山 真弓 / Mayumi B. TAKEYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部電気電子工学科 Dept.of Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野矢 厚 / Atsushi NOYA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部電気電子工学科 Dept.of Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1998/8/6 |
| 資料番号 | CPM98-65 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 236 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |