| 講演名 | 1998/8/6 Cu/(Hf or HfN)/SiO_2/Si構造における界面反応の検討 武山 真弓, 野矢 厚, 坂西 光一郎, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | Cu配線を総合的にとらえ、HfN膜をCu/SiO_2界面での介在層およびCu/Si間の拡散バリヤとして用いたCu/(Hf or HfN)/SiO_2/SiおよびCu/HfN/Siコンタクト系を構成し、熱処理に伴う界面反応・拡散の挙動を検討した。Cu/HfN/SiO_2/Si系では、HfN/SiO_2界面でわずかな酸化還元反応が見られるが、系は800℃で1時間の熱処理に耐えられることがわかった。一方、拡散バリヤとしてのHfNは、低抵抗でかつ高安定なコンタクトを実現できる優れたバリヤ特性を示すことが明らかとなった。これらのことより、HfN膜は介在層としても拡散バリヤとしても有用な材料であることが実証された。 |
| 抄録(英) | The interfacial reaction and/or diffusion in the Cu/(Hf or HfN)/SiO_2/Si and Cu/HfN/Si systems have been investigated. The system with a HfN layer on SiO_2 is stable up to the temperature of 800℃ for 1h.with a little reduction of SiO_2 during the sputter-deposition of HfN. On the other hand, the HfN layer as a diffusion barrier has an excellent barrier properties of its low-resistivity and the realization of thermally stable contact. In the future Cu metallization technology, HfN thin films are one of the most excellent materials as diffusion barriers between Cu and Si as well as inter-layers between Cu and SiO_2/Si. |
| キーワード(和) | Cu配線 / 介在層 / 拡散バリヤ / HfN薄膜 / 界面反応 |
| キーワード(英) | Cu metallization / inter-layer / diffusion barrier / HfN thin film / interfacial reaction |
| 資料番号 | CPM98-64 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 1998/8/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Cu/(Hf or HfN)/SiO_2/Si構造における界面反応の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study of Interfacial Reaction in the Cu/(Hf or HfN)/SiO_2/Si Systems |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cu配線 / Cu metallization |
| キーワード(2)（和/英） | 介在層 / inter-layer |
| キーワード(3)（和/英） | 拡散バリヤ / diffusion barrier |
| キーワード(4)（和/英） | HfN薄膜 / HfN thin film |
| キーワード(5)（和/英） | 界面反応 / interfacial reaction |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 武山 真弓 / Mayumi B. TAKEYAMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Dept.of Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 野矢 厚 / Atsushi NOYA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Dept.of Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 坂西 光一郎 / Kouichirou SAKANISHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科:(現)日立製作所 Dept.of Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology:(Present address)Hitachi Co.Ltd. |
| 発表年月日 | 1998/8/6 |
| 資料番号 | CPM98-64 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 236 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |