| 講演名 | 1998/8/6 Si(111)初期酸化のSTMによる観察 宮尾 正大, 堀口 伸弘, 米井 和則, |
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| 抄録(和) | シリコン(111)表面の初期酸化をSTM、STS、及び走査型局所トンネル障壁顕微鏡を用いて観察した。Si(111)面は室温や200℃では7×7構造を保ったまま表面に酸素が吸着する。この時吸着した酸素と下地のSiのわずかな原子間隔の違いからモワレが観測された。600℃ではSiは酸化され酸化膜が形成される。酸化膜の形成は層成長的であるが、生成物が強い1次元性を示し、それが、酸化膜に多くの欠陥を導入している。 |
| 抄録(英) | Initial oxidation of Si(111)surfaces were measured by STM, STS, and scanning local tunneling barrier height microscope. Under 200℃ or room temperature, oxygen adsorb on the Si(111)surfaces without destructing the 7×7 structures. In the STM observation, Moire structure is observed at these surfaces. This means that there is a little mismatching between the absorbed oxygen layer and Si substrate. Under 600℃, Si is oxidized and oxide layer is formed. Growth mode looks like layer by layer. |
| キーワード(和) | シリコン / 酸化膜 / STM / STS / 走査型局所トンネル障壁顕微鏡 / 仕事関数 |
| キーワード(英) | Si / Oxide layer / STS / STM / barrier height / work function |
| 資料番号 | CPM98-63 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1998/8/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si(111)初期酸化のSTMによる観察 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | STM Observation on Initial Oxidation of Si(111)Surface |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン / Si |
| キーワード(2)（和/英） | 酸化膜 / Oxide layer |
| キーワード(3)（和/英） | STM / STS |
| キーワード(4)（和/英） | STS / STM |
| キーワード(5)（和/英） | 走査型局所トンネル障壁顕微鏡 / barrier height |
| キーワード(6)（和/英） | 仕事関数 / work function |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 宮尾 正大 / Masahiro Miyao |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学 Muroran Inst.Tech. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 堀口 伸弘 / Nobuhiro Horiguchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学 Muroran Inst.Tech. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 米井 和則 / Kazunori Yonei |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電子株式会社 JEOL Co |
| 発表年月日 | 1998/8/6 |
| 資料番号 | CPM98-63 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 236 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |