| 講演名 | 1998/8/6 急速熱酸化膜の成長機構についての検討 佐藤 大介, 福田 永, 野村 滋, |
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| 抄録(和) | 極薄SiO_2膜(10nm以下)成長に関する新しい急速熱酸化(RTO)モデルを提案した。RTO酸化データは概ねDeal-Groveモデルにおける直線二乗則に従うことが示された。さらに、このモデルでは、昇温時の酸化膜成長を考慮することで、実験結果をうまく再現できることが明らかとなった。その結果、酸化温度が950～1200℃、また酸化膜厚が1.5～25nmにわたる広い酸化領域において、特別な仮定を設けずRTO酸化膜成長を再現することに成功した。 |
| 抄録(英) | We have proposed a practical model for ultrathin(<10nm)SiO_2 film growth in rapid thermal oxidation(RTO)kinetics. The results showed that the overall RTO growth can be well described by the linear-parabolic model proposed by Deal and Grove. Moreover, the model proposed here indicates that in order to fit the experimental data, the oxide growth in a ramp-up process must be included in the RTO growth kinetics in the RTO range from 950 to 1200℃ and in a wide thickness range from 1.5 to 25 nm without making any special assumptions. |
| キーワード(和) | シリコン / 二酸化シリコン / 極薄酸化膜 / 急速熱酸化 / シリコンULSI |
| キーワード(英) | Silicon / Silicon dioxide / Ultrathin oxide film / Rapid thermal oxidation / Si ULSI |
| 資料番号 | CPM98-62 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1998/8/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 急速熱酸化膜の成長機構についての検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth Kinetics of Ultrathin Silicon Dioxide Films Formed by Rapid Thermal Oxidation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン / Silicon |
| キーワード(2)（和/英） | 二酸化シリコン / Silicon dioxide |
| キーワード(3)（和/英） | 極薄酸化膜 / Ultrathin oxide film |
| キーワード(4)（和/英） | 急速熱酸化 / Rapid thermal oxidation |
| キーワード(5)（和/英） | シリコンULSI / Si ULSI |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐藤 大介 / Daisuke Sato |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 福田 永 / Hisashi Fukuda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野村 滋 / Shigeru Nomura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1998/8/6 |
| 資料番号 | CPM98-62 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 236 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |