| 講演名 | 1998/8/6 急速熱酸化技術による極薄N_2O酸窒化膜の形成 綾 良輔, Salam K.M.A., 福田 永, 野村 滋, 吉野 正樹, |
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| 抄録(和) | 急速熱酸化(RTO)技術を用いて、N_2Oガス雰囲気中において、酸窒化時間と酸窒化温度をそれぞれ種々変化させて極薄酸窒化膜を形成した。酸窒化膜の成長は、通常のO_2酸化の場合でみられるようなlinear-parabolic low(直線二乗則)には従わず、シリコン表面の酸化サイトが時間とともに減少しながら酸化すること別の機構によることが明らかとなった。これらの酸窒化膜の化学エッチングプロファイルを調べてみると、酸窒化膜バルクに比べ、酸窒化膜-シリコン界面でエッチング速度の低下がみられた。このことは、酸窒化膜-シリコン界面近傍に窒素濃度の高い層が存在することを示している。酸窒化機構としては、酸化初期ではN_2O分子がシリコン表面と直接速い反応を引き起こすが、酸窒化が進行するにつれて界面における窒素リッチ層のため酸化サイトが減少し、酸素の拡散が抑止される反応中和モデルが適応されることがわかった。 |
| 抄録(英) | Ultrathin oxynitrided films have been formed using rapid thermal oxidation in a nitrous oxide(N_2O)gas ambient as a function of oxynitridation temperature and time. The results indicate that the oxynitride growth does not follow the linear-parabolic low which holds in ordinarily thermal reaction, but proceeds in time-dependent reaction at the silicon surface. The chemical etching profiles of these films indicate that the chemical etching rate near the oxinitride/silicon interface is much smaller than that at bulk layer. This means that the nitrogen-rich laver is present near the oxinitride/silicon interface. It was found that the oxynitridation occurs via fast reaction of N_2O molecules with silicon atoms at the silicon surface in the initial stage, then slows down by the both reduction of diffusivity of oxygen in the interfacial nitrogen-rich layer and of reaction sites at the interface. |
| キーワード(和) | 急速熱酸化 / 極薄酸窒化膜 / N_2O / シリコンULSI |
| キーワード(英) | Rapid Thermal Oxidation / Ultrathin Oxynitrided Film / N_2O / Si ULSI |
| 資料番号 | CPM98-61 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1998/8/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 急速熱酸化技術による極薄N_2O酸窒化膜の形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ultrathin N_2O-Oxynitrided Films Formed using Rapid Thermal Oxidation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 急速熱酸化 / Rapid Thermal Oxidation |
| キーワード(2)（和/英） | 極薄酸窒化膜 / Ultrathin Oxynitrided Film |
| キーワード(3)（和/英） | N_2O / N_2O |
| キーワード(4)（和/英） | シリコンULSI / Si ULSI |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 綾 良輔 / Ryosuke AYA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | Salam K.M.A. / K.M.A. Salam |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 福田 永 / Hisashi FUKUDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 野村 滋 / Shigeru NOMURA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 吉野 正樹 / Masaki YOSHINO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 北海道職業能力開発短期大学校電子技術科 Department of Electronic Engineering, Hokkaido Polytechnic College |
| 発表年月日 | 1998/8/6 |
| 資料番号 | CPM98-61 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 236 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |