| 講演名 | 1998/8/6 急速熱酸化技術による極薄NO酸窒化膜の形成 石川 喜浩, 福田 永, 野村 滋, 吉野 正樹, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 急速熱酸化(RTO)技術を用いて、一酸化窒素(NO)雰囲気中で酸窒化温度、酸窒化時間をパラメータとして、極薄酸窒化膜を形成した。NO酸窒化膜の成長においては、膜厚な時間の増加とともに飽和する傾向を示し、通常のDeal-Groveによる直線二乗則には従わないことがわかった。そのため、酸化成長サイトが時間とともに減少するモデルを導入した。化学エッチングによる、膜の深さ方向の組成変化の評価において、バルク中と酸窒化膜-シリコン界面付近とでのエッチングレートに違いが見られた。これらのことから、酸窒化膜/シリコン界面では窒素偏析層が存在し、それが酸化種の拡散を抑制していることが明らかとなった。 |
| 抄録(英) | Ultrathin silicon oxynitride films have been formed using rapid thermal oxidation(RTO)in a nitric oxide ambient as a function of oxidation temperature and time. The film thickness tends to saturate with increasing time. The overall growth does not follow the linear-parabolic law proposed by Deal and Grove but the neutral reaction at silicon surface. The chemical etching profiles of the NO-oxide films indicate a much lower etching rate near the oxynitrided SiO_2/Si interface as compared to the fact that the reaction of NO molecules with silicon surface produces a nitrogen-rich interfacial layer which acts as a barrier to an oxidant. |
| キーワード(和) | 急速熱酸化 / 極薄酸化膜 / Deal-Groveモデル / シリコンULSI |
| キーワード(英) | raped thermal oxidation / ultrathin oxide film / Deal and Grove model / Si ULSI |
| 資料番号 | CPM98-60 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 1998/8/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 急速熱酸化技術による極薄NO酸窒化膜の形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of ultrathin oxynitrided SiO_2 films using rapid thermal oxidation in a NO ambient |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 急速熱酸化 / raped thermal oxidation |
| キーワード(2)（和/英） | 極薄酸化膜 / ultrathin oxide film |
| キーワード(3)（和/英） | Deal-Groveモデル / Deal and Grove model |
| キーワード(4)（和/英） | シリコンULSI / Si ULSI |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石川 喜浩 / Yoshihiro ISHIKAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 福田 永 / Hisashi FUKUDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野村 滋 / Sigeru NOMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 吉野 正樹 / Masaki YOSHINO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道職業能力開発短期大学校電子技術科 Department of Electronic Engineering, Hokkaido Polytechnic College |
| 発表年月日 | 1998/8/6 |
| 資料番号 | CPM98-60 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 236 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |