| 講演名 | 1998/8/6 急速熱窒化技術による極薄シリコン窒化膜成長とその電気的特性評価 佐藤 卓, 福田 永, 野村 滋, 吉野 正樹, |
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| 抄録(和) | NH_3ガス雰囲気中において、窒化時間と窒化温度をパラメータとして、急速熱窒化法により極薄シリコン窒膜を形成した。窒化膜の成長は二段階で進行し、窒化膜成長モデルにおける対数則におおむねしたがっていることがわかった。これらの窒化膜のエッチングプロファイルによる評価を行った結果、Si_3N_4/Si界面付近でのエッチング速度の低下が見られた。これにより、シリコン窒化膜は、窒素リッチ層がSi_3N_4/Si界面付近にパイルアップされていることがわかった。また、FT-IRスペクトルにより、形成された窒化膜中には、酸素および水素が含まれていることが確認された。シリコン窒化膜の絶縁破壊耐圧強度を測った結果、シリコン酸化膜に比べ優れた特性を持つことがわかった。 |
| 抄録(英) | Ultrathin Si nitride films have been formed in a NH_3 gass ambient as a function of nitrided temperature and time using rapid thermal nitridation. The growth of Si nitride films shows that there are two step growth, in which overall growth follows the logalithm low, proposed by Ching-Yuan Wu et al. The etching profiles of these films indicate that much smaller etching rate is achieved near the Si_3N_4/Si interface. This is due to the nitrogen-rich layer piled up near the Si_3N_4/Si interface. In addition, oxygen and hydrogen are incorporated with the nitride film, which was confirmed by FT-IR spectra. Dielectric breakdown characterristics indicate much sperior breakdown strength for Si nitride film as compared to silicon dioxide films. |
| キーワード(和) | シリコン窒化膜 / アンモニアガス / RTP / シリコンULSI |
| キーワード(英) | Si nitride films / NH_3 gasses / RTP / Si ULSI |
| 資料番号 | CPM98-59 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1998/8/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 急速熱窒化技術による極薄シリコン窒化膜成長とその電気的特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth and Electrical Chracteristics of Rapid Thermal Nitrided Ultratin Silicon Nitride Films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン窒化膜 / Si nitride films |
| キーワード(2)（和/英） | アンモニアガス / NH_3 gasses |
| キーワード(3)（和/英） | RTP / RTP |
| キーワード(4)（和/英） | シリコンULSI / Si ULSI |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐藤 卓 / Taku SATOH |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Depertment of Electrical and Electronic Engineering Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 福田 永 / Hisashi FUKUDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Depertment of Electrical and Electronic Engineering Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野村 滋 / Sigeru NOMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Depertment of Electrical and Electronic Engineering Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 吉野 正樹 / Masaki YOSHINO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道職業能力開発短期大学校電子技術科 Depertment of Electronic Engineerng, Hokkaido Polytechnic College |
| 発表年月日 | 1998/8/6 |
| 資料番号 | CPM98-59 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 236 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |