| 講演名 | 1994/9/13 Cu/metal/SiO_2/Si構造における界面反応の検討 関 光, 武山 真弓, 野矢 厚, 佐々木 克孝, 松下 渉, |
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| 抄録(和) | Cuメタライゼーション技術の基礎的検討として、Cu-SiO_2間に化学的活性度の異なる種々の金属(Y、V、W)をCu配線層の拡散バリヤとして介在させたCu, metal/SiO_2/Siを構造を作製し、各界面における拡散・反応挙動をXPS、AES等により評価した。各試験料において、熱処理前ではmetal/SiO_2界面において金属層の活性度に対応したSiO_2の還元反応が観測された。また、各試験に対して熱処理を行った場合、Cu/Y/SiO_2/Si、Cu/V/SiO_2/Si系においては、各々熱処理温度250℃、600℃でSiO_2層が消失し、Su/W/SiO_2/Si系においては熱処理温度800℃において局所的な系の崩壊が観測された。 |
| 抄録(英) | The interfacial reactions taken place in the Cu, metal/SiO_2/Si systems(metal:Y,V,W)have been studied by the analytic techniques of AES and XPS.In the as-deposited specimen of the systems,the reduction of SiO_2 due to the oxidation of the metal deposited on the SiO_2 layer was observed according to ihe chemical affinity inherent in the metal.The interdiffusion and/or reaction at the interfaces in each system taken place due to the annealing,which lead to the deterioration of the systems by intermixing of elements at 250℃ for Cu/Y/SiO_2/Si,at 600℃ for Cu/V/SiO_2/Si and at 800℃ for Cu/W/SiO_2/Si system.The intermixing took place in loc al site for W barrier and in a uniform fashion for the others. |
| キーワード(和) | CaXタライゼーション / metal/SiO_2界面 / Cu/metal界面 / 還元反応 / Paul ingの電気陰性度 / 生成熱 |
| キーワード(英) | Cu metallization / metal/iO_2 interface / Cu/etal interface / reduction reaction / Pauling′s electronegativity / heat of forma tion |
| 資料番号 | CPM94-67 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1994/9/13(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Cu/metal/SiO_2/Si構造における界面反応の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A study of interfacial reactions in Cu/metal/SiO_2/Si systems |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | CaXタライゼーション / Cu metallization |
| キーワード(2)（和/英） | metal/SiO_2界面 / metal/iO_2 interface |
| キーワード(3)（和/英） | Cu/metal界面 / Cu/etal interface |
| キーワード(4)（和/英） | 還元反応 / reduction reaction |
| キーワード(5)（和/英） | Paul ingの電気陰性度 / Pauling′s electronegativity |
| キーワード(6)（和/英） | 生成熱 / heat of forma tion |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 関 光 / Hikaru Seki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering,Faculty of Engineering,Kitami Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 武山 真弓 / Mayumi Takeyama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering,Faculty of Engineering,Kitami Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野矢 厚 / Atsushi Noya |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering,Faculty of Engineering,Kitami Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 佐々木 克孝 / Katsutaka Sasaki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部機能材料工学科 Department of Material Science,Faculty of Engineering,Kitami Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 松下 渉 / Wataru Matsushita |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering,Faculty of Engineering,Kitami Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1994/9/13 |
| 資料番号 | CPM94-67 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 227 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |