| 講演名 | 1994/9/12 オージェ電子分光分析によるAl/Al_3Ta/TaN/Siコンタクト構造の熱的安定性 武山 真弓, 野矢 厚, 佐々木 克孝, |
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| 抄録(和) | 界面に化学平衡状態を実現したAl, Al_3Ta/TaN/Siコンタクト系の熱的安定性をAES分析によって検討した結果、このコンタクト系はAlの融点近傍である600℃まで安定なコンタクト界面を実現できることがわかった。したがって、化学平衡界面をコンタクト系に実現するという我々の概念は、先のW系バリヤ材料の場合と同様に、Ta系バリヤでも有効であり、その概念がより広い系に有効であることが見いだされた。 |
| 抄録(英) | The thermal stability of the Al, Al_3Ta/TaN/Si contact system,at which a chemical equilibrium state is realized at the contact interfaces between Al and TaN,has been studied by Auger electron spectroscopy(AES)analysis.It is shown that the Al_3Ta layer between the Al overlayer and the TaN barrier effectively suppresses the possible spontaneous reaction,and the system tolerates up to the annealing temperature of 600℃.It is found that the realization of the chemical equilibrium state at the interface is also effective in the case of using the A1_3Ta intermetallic compound as well as in the previous case of W- compound and this results in the realization of one of the most stable multilayered configurations among those of the Al metallization technology. |
| キーワード(和) | 金属-半導体界面 / Alメタライゼーション / Al_3Ta金属間化合物 / 化学平衡界 面 / TaNバリヤ |
| キーワード(英) | metal-semiconductor interface / Al metallization / Al_3Ta intermetallic compound / chemical equilibrium state / TaN barrier |
| 資料番号 | CPM94-62 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1994/9/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | オージェ電子分光分析によるAl/Al_3Ta/TaN/Siコンタクト構造の熱的安定性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Auger electron spectroscopy study on the thermal stability of the Al/Al_3Ta/TaN/Si Contact system |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 金属-半導体界面 / metal-semiconductor interface |
| キーワード(2)（和/英） | Alメタライゼーション / Al metallization |
| キーワード(3)（和/英） | Al_3Ta金属間化合物 / Al_3Ta intermetallic compound |
| キーワード(4)（和/英） | 化学平衡界 面 / chemical equilibrium state |
| キーワード(5)（和/英） | TaNバリヤ / TaN barrier |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 武山 真弓 / Mayumi Takeyama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering,Faculty of Engineering,Kitami Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 野矢 厚 / Atsushi Noya |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering,Faculty of Engineering,Kitami Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐々木 克孝 / Katsutaka Sasaki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部機能材料工学科 Department of Material Science,Faculty of Engineering,Kitami Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1994/9/12 |
| 資料番号 | CPM94-62 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 226 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |