| 講演名 | 1994/9/12 多結晶SiC薄膜の生成とそのピエゾ抵抗特性 岡田 亮一, 米久保 荘, 上村 喜一, 中尾 真人, 小沼 義治, |
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| 抄録(和) | 多結晶SiC薄膜をAr、CH_4の混合ガス中での反応性マグネトロンスパッタリングにより生成した。ターゲットには単結晶Siウェハーを用いた。生成したSiC薄膜は生成率10～40[nm, min]であった。Ar分圧60[mTorr]、CH_4分圧40[mTorr]、基板温度750[℃]において顕著な配向性のあるSiC薄膜が得られた。キャリア濃度、Hall移動度、抵抗率はそれぞれ、10^18>[cm^-3>]、10^1[cm^2/Vs]、10^-1>～10^-2>[Ωcm]であった。ピエゾ抵抗測定の結果よりゲージ率は15程度のものが得られた。 |
| 抄録(英) | Silicon carbide thin films were prepared by reactive magnetron sputtering in mixture gases of Ar and CH_4.The target was made from a single crystal Si wafer.The deposition rate was from 100 to 400£nm, min!.Films were characterized by X-ray diffraction.The hig h preferred orientation was observed in the data of the sample prepared at Ar partial pressure of 60£mTorr!,CH_4 partial pressure of 40£mTorr!and substrate temperature of 750£℃!.The carrier con centration,the Hall mobility and the resistivity was 10^18>£cm^- 3>!,10^1£cm^2/Vs!and from 10^-1> to 10^-2>£Ωcm!,respectively.T he gauge factor was about 15. |
| キーワード(和) | 薄膜 / 多結晶 / SiC / 反応性スパッタ / ピエゾ抵抗効果 |
| キーワード(英) | Thin film / Polycrystalline / SiC / Reactive sputtering / piezo-resistive effect |
| 資料番号 | CPM94-61 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1994/9/12(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 多結晶SiC薄膜の生成とそのピエゾ抵抗特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation of polycrystalline SiC thin films and their piezo- resistive properties |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 薄膜 / Thin film |
| キーワード(2)（和/英） | 多結晶 / Polycrystalline |
| キーワード(3)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(4)（和/英） | 反応性スパッタ / Reactive sputtering |
| キーワード(5)（和/英） | ピエゾ抵抗効果 / piezo-resistive effect |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岡田 亮一 / Ryoichi Okada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering,Shinshu University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 米久保 荘 / Sou Yonekubo |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering,Shinshu University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 上村 喜一 / Kiichi Kamimura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering,Shinshu University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中尾 真人 / Masato Nakao |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering,Shinshu University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小沼 義治 / Yoshiharu Onuma |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering,Shinshu University |
| 発表年月日 | 1994/9/12 |
| 資料番号 | CPM94-61 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 226 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |