| 講演名 | 1994/9/12 ECRプラズマソースを用いて作製したInN薄膜の特性 佐藤 祐一, 佐藤 進, |
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| 抄録(和) | ECRプラズマソースを用いた反応性蒸着法によりInN薄膜の作製を行い,RFプラズマを用いて作製したInN薄膜の特性との比較検討を行った.結晶性が良い膜が得られる基板温度はRFプラズマを用いた場合に比べやや高い傾向にあったが,表面モフォロジーが比較的良好な膜が得られた.また,RFプラズマを用いた場合には成膜速度が遅くなると共に表面モフォロジーおよび結晶性が悪化する傾向が見られたが,ECRプラズマソースを用いた場合にはそのような傾向は見られなかった.ECRプラズマソースと基板との距離およびオリフィスの径に対する膜の特性の依存性についても併せて検討を行った. |
| 抄録(英) | InN thin films are prepared by reactive evaporation using an ECR plasma source.Properties of their films are measured and compared with those of InN films prepared by reactive evaporation using RF plasma.Substrate temperatures at which InN films having fine crystallinity are obtained are more or less higher than those of films prepared by RF plasma.However,surface morphologies of their films are relatively smooth.Deteriorations of surface morphologies and crystallinities of films prepared by ECR plasma are not observed even when their deposition rates are extremely low. Dependences of the film properties on the distance between the plasma source and substrates,and the diameter of orifices of the plasma source are also investigated. |
| キーワード(和) | InN / ECRプラズマ / RFプラズマ / 反応性蒸着 / 薄膜 |
| キーワード(英) | InN / ECR plasma / RF plasma / reactive evaporation / thin film |
| 資料番号 | CPM94-59 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1994/9/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ECRプラズマソースを用いて作製したInN薄膜の特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Properties of InN thin films prepared by using an ECR plasma source |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InN / InN |
| キーワード(2)（和/英） | ECRプラズマ / ECR plasma |
| キーワード(3)（和/英） | RFプラズマ / RF plasma |
| キーワード(4)（和/英） | 反応性蒸着 / reactive evaporation |
| キーワード(5)（和/英） | 薄膜 / thin film |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐藤 祐一 / Yuichi Sato |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 秋田大学鉱山学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering,Mining College, Akita University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐藤 進 / Susumu Sato |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 秋田大学鉱山学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering,Mining College, Akita University |
| 発表年月日 | 1994/9/12 |
| 資料番号 | CPM94-59 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 226 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |