講演名 1994/9/12
反応性スパッタ法によるCuInS_2薄膜の作製
小林 康之, 于 丹陽, M.M. サリナント, 小林 敏志, 金子 双男, 川上 貴浩,
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抄録(和) CS_2を反応性ガスとする反応性スパッタリングによりCuInS_2半導体薄膜を作製した。作製にあたって、CuとInの分割型ターゲットを備えた直流3極スパッタ装置を用いた。基板温度を150、350℃として、それぞれの条件でCS_2分圧を変化させた。X線回折測定とEPMAにより膜を評価した結果、CS_2の分圧が0.02Pa付近で化学量論的組成に近いCuInS_2薄膜が得られることが明らかにされた。化学量論的組成に近い膜の禁制帯幅は単結晶の値よりやや低かった。また、膜を構成する元素の原子数比Cu, Inが大きいとき抵抗率が下がる傾向があった。
抄録(英) CuInS_2 thin films have been deposited on the glass substrates at 150 and 350℃ by the reactive sputtering method using CS_2 as re active gass.Nearly stoichiometric CuInS_2 films are obtained at about 0.02Pa of CS_2 partial pressure.The band gap is slightly lower than that of the single crystal.The resistivity tends to decrease with increasin atomic ratio Cu, In.
キーワード(和) スパッタリング / CuInS_2 / 抵抗率 / X線回折 / EPMA / 光透過特性
キーワード(英) sputtering / CuInS_2 / resistivity / X-rey diffraction / EPMA / transmission
資料番号 CPM94-56
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 1994/9/12(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 反応性スパッタ法によるCuInS_2薄膜の作製
サブタイトル(和)
タイトル(英) Preparation of CuInS_2 films by the reactive sputtering
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) スパッタリング / sputtering
キーワード(2)(和/英) CuInS_2 / CuInS_2
キーワード(3)(和/英) 抵抗率 / resistivity
キーワード(4)(和/英) X線回折 / X-rey diffraction
キーワード(5)(和/英) EPMA / EPMA
キーワード(6)(和/英) 光透過特性 / transmission
第 1 著者 氏名(和/英) 小林 康之 / Yasuyuki Kobayashi
第 1 著者 所属(和/英) 新潟大学工学部
Faculty of Engineering,Niigata University
第 2 著者 氏名(和/英) 于 丹陽 / Dan Yang Yu
第 2 著者 所属(和/英) 新潟大学工学部
Faculty of Engineering,Niigata University
第 3 著者 氏名(和/英) M.M. サリナント / Sarinanto M.M.
第 3 著者 所属(和/英) 東京工業大学
Tokyo Institute of Technology
第 4 著者 氏名(和/英) 小林 敏志 / Satoshi Kobayashi
第 4 著者 所属(和/英) 新潟大学工学部
Faculty of Engineering,Niigata University
第 5 著者 氏名(和/英) 金子 双男 / Futao Kaneko
第 5 著者 所属(和/英) 新潟大学工学部
Faculty of Engineering,Niigata University
第 6 著者 氏名(和/英) 川上 貴浩 / Takahiro Kawakami
第 6 著者 所属(和/英) 新潟大学工学部
Faculty of Engineering,Niigata University
発表年月日 1994/9/12
資料番号 CPM94-56
巻番号(vol) vol.94
号番号(no) 226
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日