| 講演名 | 1993/10/18 電気めっき法による微細はんだバンプ形成技術 本間 荘一, 山田 満, 宮城 武史, 斉藤 雅之, |
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| 抄録(和) | 近年電子機器の小形化、高速化が進み、高密度・高速実装技術が求められている。なかでもフリップチップ実装は有力技術の一つであり研究開発が活発に行われている。そこで今回電気めっき法を用いて、フリップチップ実装に用いるはんだバンプ形成技術の開発を行った。電気めっき法は堆積速度が大きく、装置が簡略な特徴があるが、合金めっきの場合Sn-Pbはんだの組成制御が課題であった。本報告では電気化学的手法を用いてはんだ組成の制御を行い、組成が±5%以内に制御が可能になった。さらにこの技術を使って実際に80μmピッチのバンプを形成し、接続信頼性を評価した。その結果基板上のパッドメタルのCuを厚くすることにより、接続信頼性が向上することを確認した。 |
| 抄録(英) | Fine pitch solder bumps have been developed by electroplating. Electroplating can realize the formation of fine pitch and high aspect ratio bumps.Solder composition and the interconnection reliability have great importance on a flip chip assemble technique.In this paper,the way of controlling tin-lead solder composition is researched using an electrochemical analysis.The tin composition was controlled within plus minus five percent difference and the interconnection reliability was improved using a thick copper pad on a silicon substrate. |
| キーワード(和) | 電気めっき法 / はんだバンプ / 合金めっき / 組成制御 / 接続信頼性 / 電気化学 |
| キーワード(英) | Electroplating / Solder / Bump / Composition / Reliability / Electrochemical |
| 資料番号 | CPM93-76 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1993/10/18(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 電気めっき法による微細はんだバンプ形成技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of fine pitch solder bumps by electroplating |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電気めっき法 / Electroplating |
| キーワード(2)（和/英） | はんだバンプ / Solder |
| キーワード(3)（和/英） | 合金めっき / Bump |
| キーワード(4)（和/英） | 組成制御 / Composition |
| キーワード(5)（和/英） | 接続信頼性 / Reliability |
| キーワード(6)（和/英） | 電気化学 / Electrochemical |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 本間 荘一 / Soichi Honma |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター Research and Development Center,Toshiba Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山田 満 / Hiroshi Yamada |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター Research and Development Center,Toshiba Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宮城 武史 / Takeshi Miyagi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター Research and Development Center,Toshiba Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 斉藤 雅之 / Masayuki Saito |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター Research and Development Center,Toshiba Corporation |
| 発表年月日 | 1993/10/18 |
| 資料番号 | CPM93-76 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 275 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |