講演名 1993/9/16
AIドープZnOスパッタ薄膜を用いた"におい"センサ
遠藤 文孝, 椿野 史朗, 池田 三雄, 南戸 秀仁,
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抄録(和) スパッタ法で作成した酸化亜鉛(ZnO)薄膜ガスセンサの各種ガスに対する感応特性を評価するとともに、特性のZnO薄膜へのAI添加効果を調べた。その結果、AIをドープすることによりセンサ素子のTMAやDMAなどのアミン系ガスに対する感度と選択性が増大することが明らかとなった。また、本ガスセンサ素子を用いた魚介類に対する鮮度センサの可能性の評価ならびに本ガスセンサ素子の各種ガスに対する過渡応答特性の特徴を表現するパラメータを用い、ニューラルネットワークパターン認識法を組み合わせた"におい"識別センサシステムの可能性の評価を行った。その結果、いずれの場合も十分可能であることがわかった。
抄録(英) The responses of gas sensor using sputtered zinc oxide(ZnO)thin film for exposure to various gases as well as the aluminum(AI) doping effect on the responses have been investigated.It is found that AI-doped ZnO thin film gas sensor exhibits high sensitivity and excellent selectivity for amine gases such as trimethylamine(TMA)and dimethylamine(DMA)and is useful for freshness detection of sea foods.It is also found that a gas sensing system using ZnO thin film gas sensors in conjunction with neural network analysis is useful to discriminate among TMA,DMA and other gases.
キーワード(和) ZnO薄膜 / においセンサ / 鮮度センサ / ニューラルネットワーク / スパッタリング
キーワード(英) ZnO thin film / smell sensor / freshness sensor / neural network / sputtering
資料番号 CPM93-68
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 1993/9/16(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) AIドープZnOスパッタ薄膜を用いた"におい"センサ
サブタイトル(和)
タイトル(英) Smell sensor utilizing sputtered aluminum-doped ZnO thin film
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) ZnO薄膜 / ZnO thin film
キーワード(2)(和/英) においセンサ / smell sensor
キーワード(3)(和/英) 鮮度センサ / freshness sensor
キーワード(4)(和/英) ニューラルネットワーク / neural network
キーワード(5)(和/英) スパッタリング / sputtering
第 1 著者 氏名(和/英) 遠藤 文孝 / Fumitaka Endo
第 1 著者 所属(和/英) 金沢工業大学電子デバイスシステム研究所
Electron Device System Research Labolatory,Kanazawa Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 椿野 史朗 / Shirou Tsubakino
第 2 著者 所属(和/英) 金沢工業大学電子デバイスシステム研究所
Electron Device System Research Labolatory,Kanazawa Institute of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 池田 三雄 / Mitsuo Ikeda
第 3 著者 所属(和/英) 金沢工業大学電子デバイスシステム研究所
Electron Device System Research Labolatory,Kanazawa Institute of Technology
第 4 著者 氏名(和/英) 南戸 秀仁 / Hidehito Nanto
第 4 著者 所属(和/英) 金沢工業大学電子デバイスシステム研究所
Electron Device System Research Labolatory,Kanazawa Institute of Technology
発表年月日 1993/9/16
資料番号 CPM93-68
巻番号(vol) vol.93
号番号(no) 222
ページ範囲 pp.-
ページ数 7
発行日