| 講演名 | 1993/9/16 GaAs(001)面上へのGaSe薄膜の成長 和泉 貴之, 藤田 健一, 丹保 豊和, 上羽 弘, 龍山 智栄, |
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| 抄録(和) | 層状物質であるIII-VI族化合物半導体GaSeをGaAs(001)上にエピタキシャル成長させ、その薄膜と界面状態を表面分析装置を用いて明らかにした。薄膜は基板温度(Ts)として室温、250℃、400℃を中心に作成した。その薄膜の結晶性は低速電子エネルギー損失分光法(LEELS)によって評価し、その結合状態はX線光電子分光法(XPS)、結晶構造はX線回折法(XRD)を用いて評価した。GaSeとGaAs(001)は表面の結晶構造が大きく異なっているにもかかわらず、基板温度が250℃において得られたGaSe薄膜は約30Å以上の膜厚で良好な結晶性が得られた。その試料を400℃でアニールすることにより、結晶性と表面状態の改善が見られた。 |
| 抄録(英) | III-VI layered semiconductor GaSe has been grown hetero- epitaxially on GaAs(001),and the crystalline of thin films and the interface between them have been studied by using surface analysis systems. The thin films were grown at room temperature(R.T.),250℃ and 400 ℃ as substrate temperature(Ts).The crystalline quality chemical bo nding states and crystal structure of the grown films were characterized by using low-energy electron-loss spectroscopy(LEELS),X-ray photoelectron spectroscopy(XPS)and X-ray deffraction(XRD).Though the crystal structure of GaSe is much defferent from that of GaAs(001),GaSe with a fairly good crystalline quality was successfully grown at 250℃ for the thickne ss over 30BR.By annealing at 400℃,the inprovements of the crystall ine quality were observed. |
| キーワード(和) | GaAs(001) / GaSe / 層状半導体 / ファンデアワールスカ / ヘテロエピタキシャル / 不 活性化 |
| キーワード(英) | GaAs(001) / GaSe / layered semiconductor / Van der Waals force / hetero-epitaxal / passivation |
| 資料番号 | CPM93-66 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1993/9/16(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaAs(001)面上へのGaSe薄膜の成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of GaSe thin film on GaAs(001) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaAs(001) / GaAs(001) |
| キーワード(2)（和/英） | GaSe / GaSe |
| キーワード(3)（和/英） | 層状半導体 / layered semiconductor |
| キーワード(4)（和/英） | ファンデアワールスカ / Van der Waals force |
| キーワード(5)（和/英） | ヘテロエピタキシャル / hetero-epitaxal |
| キーワード(6)（和/英） | 不 活性化 / passivation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 和泉 貴之 / Takayuki Izumi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富山大学工学部電子情報工学科 Department of Electronics & Information Engineering,Faculty of Engineering,Toyama University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 藤田 健一 / Kenichi Fujita |
| 第 2 著者 所属（和/英） | アドバンテスト ADVANTEST CORPORATION |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 丹保 豊和 / Toyokazu Tanbo |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富山大学工学部電子情報工学科 Department of Electronics & Information Engineering,Faculty of Engineering,Toyama University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 上羽 弘 / Hiromu Ueba |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富山大学工学部電子情報工学科 Department of Electronics & Information Engineering,Faculty of Engineering,Toyama University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 龍山 智栄 / Chiei Tatuyama |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富山大学工学部電子情報工学科 Department of Electronics & Information Engineering,Faculty of Engineering,Toyama University |
| 発表年月日 | 1993/9/16 |
| 資料番号 | CPM93-66 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 222 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |