| 講演名 | 1993/9/16 グラフォエピタキシーの原理と最近の進歩 高倉 秀行, 若林 良昌, 浜川 圭弘, |
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| 抄録(和) | 大面積で望みの厚さ、結晶面を持つ半導体の単結晶薄膜を成長させる技術を確立し、大面積の半導体基板を作製して太陽電池用基板としての実用化への課題を探る目的で行なってきた、グラフォエピタキシーに関する一連の研究の成果を述べる。グラフォエピタキシー基板は、Si(100)基板をアルカリ溶液中で選択エッチングを行い、これを酸化したものおよびNiメッキを用いて転写したものを提案してきた。最近では、この全面ピラミッド状のグラフォエピタキシー基板に変えて、基板の一部のみピラミッド化した基板を提案し、その作製条件の確立を行うとともに、Geのグラフォエピタキシー成長を試みた。グラフォエピタキシー技術の現状と見通しについても述べる。 |
| 抄録(英) | A systematic experimental approach has been performed to achieve orientation-controlled nucleation and graphoepitaxial growth of germanium on the replica substrate with a textured single- crystarme silicon(001)substrate.The graphoepitaxial growth was performed from a germanium, metal eutectic alloy solution with an appropriate recrystallization.This technology will realize a wide area single crystalline thin film substrates for applications to solar cells and display devices. |
| キーワード(和) | グラフォエピタキシー / ゲルマニウム / 太陽電池 / 共晶合金 / 半導体薄膜 |
| キーワード(英) | Graphoepitaxy / Germanium / Solar Cells / entectic alloy / thin tilm |
| 資料番号 | CPM93-65 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1993/9/16(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | グラフォエピタキシーの原理と最近の進歩 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Principle and recent progress of graphoepitaxy technology |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | グラフォエピタキシー / Graphoepitaxy |
| キーワード(2)（和/英） | ゲルマニウム / Germanium |
| キーワード(3)（和/英） | 太陽電池 / Solar Cells |
| キーワード(4)（和/英） | 共晶合金 / entectic alloy |
| キーワード(5)（和/英） | 半導体薄膜 / thin tilm |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高倉 秀行 / Hideyuki Takakura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富山県立大学工学部 Faculty of Engineering,Toyama Prefectural University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 若林 良昌 / Yoshiaki Wakabayashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学基礎工学部 Faculty of Engineering Science,Osaka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 浜川 圭弘 / Yoshihiro Hamakawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学基礎工学部 Faculty of Engineering Science,Osaka University |
| 発表年月日 | 1993/9/16 |
| 資料番号 | CPM93-65 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 222 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |