| 講演名 | 1993/9/16 反応性蒸着法によるInN-In_2O_3系薄膜の作製 佐藤 祐一, 佐藤 進, |
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| 抄録(和) | 窒素と酸素の混合プラズマを用いた反応性蒸着法によりInNとIn_2O_3の混合系薄膜をα-Al_2O_3(0001)基板上に作製した.得られた薄膜の窒素および酸素含有量に対する結晶構造,電気的特性および光学的特性の変化について検討を行った.作製時に導入する酸素の混合比が5%程度までの場合にはc軸配向したInN薄膜が得られ,また20%以上とした場合には(111)配向性を有するIn_2O_3薄膜が得られた.InNの結晶構造を有する薄膜では,窒素含有量の減少および酸素含有量の増加に伴いキャリア密度の増加が見られた.作製したInN-In_2O_3系薄膜の低抗率は10^-4>Ω・cmから1Ω・cm程度まで変化し,バンドギャップエネルギーは1.9eVから3.7eVまで変化した. |
| 抄録(英) | Thin films of a mixture system of InN and In_2O_3 are deposited on α-Al_2O_3(0001) substrates by reactive evaporation in mixed nit rogen-oxygen RF plasmas.Crystal structure and electrical and optical properties of the prepared films are studied for various nitrogen and oxygen contents.C-axis oriented InN thin films are obtained for mixing ratios of oxygen under 5 %,and(111)oriented ln_ 2O_3 thin films are obtained for mixing ratios of oxygen above 20 %.Carrier densities of the films having a crystal structure of InN increase as nitrogen content decreases and oxygen content increases.Resistivities of the prepared InN -In_2O_3 thin films are varied from 10^-4> to about 1Ω・cm,and band gap energies of th em are varied from 1.9 to 3.7 eV. |
| キーワード(和) | InN,In_2O_3 / 薄膜,結晶構造 / 電気的特性 / 光学的特性 |
| キーワード(英) | InN,In_2O_3 / thin film / crystal structure / electrical property / optical property |
| 資料番号 | CPM93-64 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1993/9/16(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 反応性蒸着法によるInN-In_2O_3系薄膜の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Peparation of InN-In_2O_3 thin films by reactive evapration |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InN,In_2O_3 / InN,In_2O_3 |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜,結晶構造 / thin film |
| キーワード(3)（和/英） | 電気的特性 / crystal structure |
| キーワード(4)（和/英） | 光学的特性 / electrical property |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐藤 祐一 / Yuichi Sato |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 秋田大学鉱山学部 Mining College,Akita University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐藤 進 / Susumu Sato |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 秋田大学鉱山学部 Mining College,Akita University |
| 発表年月日 | 1993/9/16 |
| 資料番号 | CPM93-64 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 222 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |