| 講演名 | 1993/9/16 Siおよびα-Al_2O_3基板上へのInNのMOCVD成長 辻野 光紀, 水谷 昌宏, 大久保 貢, 橋本 明弘, 山本 あき勇, |
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| 抄録(和) | InNのデバイス応用に不可欠なInNのヘテロエピタキシャル成長技術の確立をねらいとして,Siおよびα-Al_2O_3基板上へのInNのMOCVD成長を検討した.その結果,InN成長膜の品質に対して原料であるNH_3による基板表面の窒化が重要な影響を与えることが明かとなった.すなわちSi基板の場合,比較的低温(～500℃)で基板表面に非晶質状のSiN_xが形成され,これがInNのエピタキシャル成長の阻害要因となる.なお,Si基板表面の窒化は成長雰囲気にH_2を添加することによりかなり抑制される.一方,α-Al_2O_3基板の場合は,800℃以上で基板の窒化によりAlNが形成され,基板表面(AlN)とInNとの格子不合整合率が大幅に減少するため,InN成長膜の結晶性の著しい向上が図られる. |
| 抄録(英) | Heteroepitaxial growth of InN on Si(lll)and α-Al_2O_3(0001) subs trates,as a key technology for device application of InN,has been studied using the MOCVD technique.It is found that the nitridation of substrate surfaces has important effects on the crystalline quality of grown InN films.It is revealed from RHEED and XPS analyses that silicon nitride of amorphous phase is formed before and during the growth on a Si substrate surface at a relatively low temperature(～500℃),which is the major cause for poorly-orient ed or polycrystalline InN film growth on Si substrates.Nitridation of α-Al_2O_3 surface is found to occur at a temperature higher tha n 800℃,and to bring about a remarkable improvement of heteroepitax ial InN film quality.This is because an AlN is formed and the lattice mismatch is reduced from 25% for InN, α-Al_2O_3 to 13% for InN/AlN. |
| キーワード(和) | InN / MOCVD / Si / α-Al_2O_3 / エピタキシャル成長 / 窒化 |
| キーワード(英) | InN / MOCVD / Si / α-Al_2O_3 / epitaxy / nitridation |
| 資料番号 | CPM93-63 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1993/9/16(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Siおよびα-Al_2O_3基板上へのInNのMOCVD成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Metalorganic Chemical Vapor Deposition Growth of InN on Si and α-A l_2O_3 Substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InN / InN |
| キーワード(2)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(3)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(4)（和/英） | α-Al_2O_3 / α-Al_2O_3 |
| キーワード(5)（和/英） | エピタキシャル成長 / epitaxy |
| キーワード(6)（和/英） | 窒化 / nitridation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 辻野 光紀 / Mitsunori Tsujino |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Faculty of Engineering,Fukui University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 水谷 昌宏 / Masahiro Mizutani |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Faculty of Engineering,Fukui University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大久保 貢 / Mitsugu Ohkubo |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Faculty of Engineering,Fukui University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 橋本 明弘 / Akihiro Hashimoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Faculty of Engineering,Fukui University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山本 あき勇 / Akio Yamamoto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Faculty of Engineering,Fukui University |
| 発表年月日 | 1993/9/16 |
| 資料番号 | CPM93-63 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 222 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |