| 講演名 | 1993/9/16 水素ラジカルアシストプラズマCVD法によるSiN膜の応力特性 安井 寛治, 中西 和明, 高橋 尚志, 赤羽 正志, |
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| 抄録(和) | SiH_4,NH_3を原料ガスに用いた水素ラジカルアシストプラズマCVD法によりSiN膜を作製した。ニュートンリング法により,SiN膜の残留応力は測定された。残留応力はN-rich膜の場合引張り応力となり,Si-rich膜の場合圧縮応力となった。堆積中に水素ラジカルを照射し,膜内の結合水素を低減させることによって,N-rich膜の引張り応力が約4×10^9dyne, cm^2緩和された。基板温度を室温から堆積温度まで変えて残留応力を測定することによって,残留応力を熱応力と真性応力に分離した。熱応力は膜内の水素量に依存し,最大で約1.7×10^9dyne/cm^2である。水素ラジカル照射時,膜厚の増加とともに真性応力は減少した。しかし,熱応力は膜厚依存性を示さなかった。水素ラジカル照射による結合水素の引き抜きに対する効果は,膜成長中ほとんど変化していない。また,水素ラジカル照射により,膜構造の再構成が行われているのではないかと考えられる。 |
| 抄録(英) | Silicon nitride films were prepared by hydrogen radical assisted plasma chemical vapor deposition using silane (SiH_4) and ammonia (NH_3) as source material.By the newton ring method,the residual stress of SiN film was measured.It was found that the residual stress was the tensile stress for N-rich films and was the compressive stress for Si-rich films.By the supply of hydrogen radicals during deposition,the hydrogen concentration in SiN films was reduced,and the tensile stress in N-rich films was relaxed to about 4×10^9dyne, cm^2.Measuring the residual stress from room tem perature to deposition temperature,the separation of that into thermal component and intrinsic component was carried out.Thermal stress depended on the hydrogen concentration in SiN films and was reduced at most to 1.7x10^9dyne/cm^2 by supplying hydrogen radicals.As the film grows,intrinsic stress decreases by,supplying hydrogen radicals.On the other hand,thermal stress does not change during the film growth.It may be concluded that the function of extraction of bonded hydrogen by hydrogen radicals does not change throughout the film growth and the reconstruction of the film structure by hydrogen radicals is carried out. |
| キーワード(和) | 水素ラジカルCVD / SiN膜 / ニュートンリング法 / 残留応力 |
| キーワード(英) | hydrogen radicals assisted plasma CVD / SiN films / Newton ring method / residual stress |
| 資料番号 | CPM93-62 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1993/9/16(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 水素ラジカルアシストプラズマCVD法によるSiN膜の応力特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Stress characteristics of SiN films grown by hydrogen radicals assisted plasma CVD method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 水素ラジカルCVD / hydrogen radicals assisted plasma CVD |
| キーワード(2)（和/英） | SiN膜 / SiN films |
| キーワード(3)（和/英） | ニュートンリング法 / Newton ring method |
| キーワード(4)（和/英） | 残留応力 / residual stress |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 安井 寛治 / Kanji Yasui |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学・電気系 Department of Electrical Engineering Nagaoka University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中西 和明 / Kazuaki Nakanishi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学・電気系 Department of Electrical Engineering Nagaoka University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 高橋 尚志 / Hisashi Takahashi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学・電気系 Department of Electrical Engineering Nagaoka University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 赤羽 正志 / Tadashi Akahane |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学・電気系 Department of Electrical Engineering Nagaoka University of Technology |
| 発表年月日 | 1993/9/16 |
| 資料番号 | CPM93-62 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 222 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |