| 講演名 | 1993/9/16 SiCl_4のプラズマCVDによる多結晶Si及びSiC薄膜 田中 裕之, 本間 敏男, 上村 喜一, 小沼 義治, |
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| 抄録(和) | 一般にSi薄膜生成用ソースガスとしてSiH_4が広く用いられているがその取扱いには困難さが伴うため、本研究では、ソースガスとして水素希釈SiCl_4を用いたプラズマ気相成長法によりSi薄膜を生成し、X線回折測定、光吸収測定やホール効果測定等より結晶性、光学的、電気的諸特性について評価を行った。更に、CH_4を加えて生成したSiC薄膜についても同様の評価を行った。 |
| 抄録(英) | Polycrystalline Silicon and silicon Carbide thin films were deposited by plasma-assisted chemical vapor deposition using SiCl_ 4 as a source gas.The method developed in this work is more safely controllable than the method using SiH_4,which has been widely used as a source gas for deposition of Si and SiC.The samples obtaind in this study,were characterized by X-ray deffraction, photo-absorption measurement and Hall effect measurement. |
| キーワード(和) | 多結晶シリコン薄膜 / 多結晶炭化珪素薄膜 / プラズマCVD / SiCl_4 |
| キーワード(英) | Polycrystalline Si thin film / Polycrystalline SiC thin film / Plasma CVD / SiCl_4 |
| 資料番号 | CPM93-61 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1993/9/16(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiCl_4のプラズマCVDによる多結晶Si及びSiC薄膜 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Polycrystalline Si and SiC thin films by plasma-CVD using SiCl_4 gas |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 多結晶シリコン薄膜 / Polycrystalline Si thin film |
| キーワード(2)（和/英） | 多結晶炭化珪素薄膜 / Polycrystalline SiC thin film |
| キーワード(3)（和/英） | プラズマCVD / Plasma CVD |
| キーワード(4)（和/英） | SiCl_4 / SiCl_4 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田中 裕之 / Hiroyuki Tanaka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering,Shinshu University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 本間 敏男 / Toshio Homma |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering,Shinshu University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 上村 喜一 / Kiichi Kamimura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering,Shinshu University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小沼 義治 / Yoshiharu Onuma |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering,Shinshu University |
| 発表年月日 | 1993/9/16 |
| 資料番号 | CPM93-61 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 222 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |