| 講演名 | 1995/9/30 SiH_2Cl_2 をソースガスとしたプラズマCVD法による SiC 薄膜の生成と諸特性 小川 武志, 湯本 正則, 中尾 真人, 上村 喜一, 小沼 義治, |
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| 抄録(和) | SiH_2Cl_2をソースガスとしたプラズマCVD法により、SiC薄膜を生成した。生成したSiC薄膜の結晶性、組成比をX線回折、XPSにより評価した。基板温度750℃、SiH_2Cl_2流量15sccm、CH_4流量5～10sccmにおいて生成したSiC薄膜は、ほぼ科学量論的組成比であり、また、強い配向性を示した。SiC薄漠の結晶粒径は740Å、吸収端は2.2eV、移動度は1.2×1O^1Vs/cm^2、抵抗率は1.6×10<-1>Ωcm、キャリア濃度は3.3×10<18>cm<-3>であった。 |
| 抄録(英) | SiC thin films were prepared by plasma CVD method using SiH_2Cl_2 as a source gas. The films were characterized by X-ray diffraction and XPS. Stoichiometric SiC films were obtained and the preferred orientation in the films were observed at the substrate temperature of 750℃ and the flow rate of SiH_2Cl_2 15sccm, CH_4 5～10sccm. The grain size of SiC thin film, absorption edge, mobility resistivity and carrier concentration was, 740Å 2.2eV, 1.2×10^1Vs/cm^2, 1.6×10<-l>Ωcm, and 3.3×10<18>cm<-3>, respectively. |
| キーワード(和) | 薄膜 / SiC / SiH_2Cl_2 / プラズマCVD |
| キーワード(英) | thin film / SiC / SiH_2Cl_2 / plasma CVD |
| 資料番号 | CPM95-72 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1995/9/30(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiH_2Cl_2 をソースガスとしたプラズマCVD法による SiC 薄膜の生成と諸特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation of SiC thin films by plasma CVD method using SiH_2Cl_2 as a source gas |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 薄膜 / thin film |
| キーワード(2)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(3)（和/英） | SiH_2Cl_2 / SiH_2Cl_2 |
| キーワード(4)（和/英） | プラズマCVD / plasma CVD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小川 武志 / T Ogawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 信州大学 工学部 電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 湯本 正則 / M Yumoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 信州大学 工学部 電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中尾 真人 / M Nakao |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 信州大学 工学部 電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 上村 喜一 / K Kamimura |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 信州大学 工学部 電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小沼 義治 / Y Onuma |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 信州大学 工学部 電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 発表年月日 | 1995/9/30 |
| 資料番号 | CPM95-72 |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 284 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |