| 講演名 | 1995/8/4 酸窒化極薄シリコン酸化膜の成長機構 小山 登, 遠藤 敏明, 福田 永, 野村 滋, 石塚 研次, |
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| 抄録(和) | N_2OおよびNOガス雰囲気中、酸化時間と酸化温度を変化させて極薄酸窒化SiO_2酸化膜を形成した。酸窒化膜の成長は、DealとGroveにより提唱された直線二乗則におおむね従っていることが分かった。これらの酸化膜の化学エッチングプロファイルでは、バルク酸化膜に比べ、SiO_2/Si界面付近でエッチング速度速度の低下が見られた。このことは、SiO_2/Si界面近傍で窒素濃度の高い層が存在していることを示している。酸化モデルから、酸化初期では、N_2OあるいはNO分子がシリコン表面と直接速い反応を引き起こすが、酸化が進行するにつれて界面での窒素リッチ層のため酸化種の拡散が抑止されることが明らかとなった。この傾向は、N_2O酸窒化膜よりもNO酸窒化膜の方がより顕著に現われた。 |
| 抄録(英) | Ultrathin oxynitrided SiO_2 films have been formed in a nitrous oxide (N_2O) and a nitric oxide (NO) gases as a function of oxidation temperature and time. The overall growth follows the linear-parabolic law proposed by Deal and Grove. The chemical etching profiles of these films indicate much smaller chemical etching rate near the SiO_2/Si interface as compared to bulk layer. This means that the nitrogen-rich layer is present near the SiO_2/Si interface. In the model, the oxidation initially occurs via fast reaction of N_2O and/or NO molecules with silicon surface in the initial stage, but then slow down owing to the reduced diffusivity in the interfacial nitrogen-rich layer formed at the interface. This behavior is more critical for NO-oxynitrided SiO_2 films as compared to that of N_2O-oxynitrided films. |
| キーワード(和) | 酸窒化膜 / ゲート酸化膜 / 窒化 / MOS構造 |
| キーワード(英) | Oxynitrided Films / Gate Oxide Films / Nitridation / MOS Structure |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1995/8/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 酸窒化極薄シリコン酸化膜の成長機構 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth Kinetics of Ultrathin Oxynitrided Silicon Dioxide Films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸窒化膜 / Oxynitrided Films |
| キーワード(2)（和/英） | ゲート酸化膜 / Gate Oxide Films |
| キーワード(3)（和/英） | 窒化 / Nitridation |
| キーワード(4)（和/英） | MOS構造 / MOS Structure |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小山 登 / Noboru Koyama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 遠藤 敏明 / Toshiaki Endoh |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 福田 永 / Hisashi Fukuda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 野村 滋 / Shigeru Nomura |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 石塚 研次 / Kenji Ishizuka |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)東芝マイクロエレクトロニクス Toshiba Microelectronics Corporation |
| 発表年月日 | 1995/8/4 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 204 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |