| 講演名 | 1995/8/4 Ta/Si系におけるシリサイド形成過程の検討 野矢 厚, 武山 真弓, 佐々木 克孝, 青柳 英二, 平賀 二, |
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| 抄録(和) | Ta/Si系の界面における固相反応によるシリサイド形成過程を高分解能透過電子顕微鏡(HRTEM)によって検討した。基板温度400℃で(100)Si基板上に堆積したTa膜との界面には、厚さ3nmのアモルファス相の形成が見られた。この系を560℃にて熱処理を行うと、アモルファス相とTaの界面にTa_5Si_3相の形成が確認された。630℃での熱処理では、アモルファス相とSiとの間にSiの拡散による介在相の形成が認められ、この相が熱処理温度の増加に伴ってTaSi_2へと結晶化することが知られた。 |
| 抄録(英) | A study on the formation process of silicides due to the solid-phase reaction at the interface of Ta/Si was performed by the high-resolution transmission electron microscopy. An amorphous layer of 4～5nm thickness is found to form at the Ta/Si interface in the as-deposited specimen. The nucleation of the Ta_5Si_3 phase between Ta and the amorphous layer is found in the specimen after annealing at 560℃. An interlayer due to the out-diffusion of Si is found to form between the amorphous layer and Si, where the TaSi_2 phase is nucleated due to annealing at more elevated temperatures. |
| キーワード(和) | シリサイド / Taシリサイド / Ta/Si界面 / 固相反応 / 電子顕微鏡 |
| キーワード(英) | silicides / Ta-silicides / Ta/Si interface / solid-phase reaction / electron microscopy |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1995/8/4(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Ta/Si系におけるシリサイド形成過程の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on the silicides formation in Ta/Si systems |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリサイド / silicides |
| キーワード(2)（和/英） | Taシリサイド / Ta-silicides |
| キーワード(3)（和/英） | Ta/Si界面 / Ta/Si interface |
| キーワード(4)（和/英） | 固相反応 / solid-phase reaction |
| キーワード(5)（和/英） | 電子顕微鏡 / electron microscopy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 野矢 厚 / Atsushi Noya |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 武山 真弓 / Mayumi Takeyama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐々木 克孝 / Katsutaka Sasaki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部機能材料工学科 Department of Materials Science, Faculty of Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 青柳 英二 / Eiji Aoyagi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学金属材料研究所 Institute for Materials Research, Tohoku University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 平賀 二 / Kenji Hiraga |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学金属材料研究所 Institute for Materials Research, Tohoku University |
| 発表年月日 | 1995/8/4 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 204 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |