| 講演名 | 1995/8/4 GaAs等の化合物半導体表面のよう素処理の効果 橋本 佳男, 櫻井 純一, 伊東 謙太郎, |
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| 抄録(和) | CdI_2およびNH_4Iによる表面処理をおこなったGaAsを光電子分光法により分析した。NH_4I処理はGaAs表面の酸化膜を除去するとともによう素に関連する膜を表面に形成する。Ga3d準位のケミカルシフトからGaAs表面にはGaのよう化物があることがわかった。さらに、よう素処理をおこなったGaAsについて、真空中で約300℃の熱処理を行うことにより、よう化物膜が除去できることから、よう素処理は、真空プロセスの前にGaAs清浄表面を得るのに有効なプロセスであると考えられる。CuInS_2表面にCdS膜を形成する際によう化物を用いた場合に太陽電池特性が向上するのもよう素の効果の現われである。 |
| 抄録(英) | GaAs surfaces treated with CdI_2 and NH_4I solution are studied by x-ray photoemission spectroscopy. NH_4I solution removes surface oxide and forms an iodine-related layer. The chemical shift of the Ga 3d level shows that a part of iodine is incorporated as GaI_x. Heat treatment of iodine coated GaAs surface at ～300℃ can easily remove iodine layer suggesting that this technique is useful to obtain a clean surface before a process in high vacuum. Roles of iodides in depositing a CdS layer on CuInS_2 surface, which improves solar cell efficiency, are also studied. |
| キーワード(和) | GaAs / 表面処理 / 光電子分光法 / よう素 / CuInS_2 |
| キーワード(英) | GaAs / surfaces passivation / x-ray photoemission spectroscopy / iodine / CuInS_2 |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1995/8/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaAs等の化合物半導体表面のよう素処理の効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Roles of iodine treatment on GaAs surfaces |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(2)（和/英） | 表面処理 / surfaces passivation |
| キーワード(3)（和/英） | 光電子分光法 / x-ray photoemission spectroscopy |
| キーワード(4)（和/英） | よう素 / iodine |
| キーワード(5)（和/英） | CuInS_2 / CuInS_2 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 橋本 佳男 / Yoshio Hashimoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部電気電子工学科 Depertment of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 櫻井 純一 / Jun-ichi Sakurai |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部電気電子工学科 Depertment of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 伊東 謙太郎 / Kentaro Ito |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部電気電子工学科 Depertment of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 発表年月日 | 1995/8/4 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 204 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |