講演名 1995/7/7
絶縁膜系電極と集積化化学センサ
伊藤 善孝, 石川 孝明,
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抄録(和) 導電体-絶縁膜-半導体(Conductor-Insulator-Semiconductor)構成の絶縁膜系電極の化学センサのひとつであるSPV(Surface Photovoltage)法を用いた集積化化学センサを検討した。SOI(Siliconon Insulator)基板を用いて製作し、裏面からのパルスビーム光による照射についてセンサの基本特性調べた。シリコン単結晶では基板の厚さを10μmに薄くしても照射光の波長が1000nm付近でセンサ出力が最大となる。また集積化化学センサの構築では、SOS(Silicon on Sapphire)基板を用いたセンサと可視レーザー光との組み合わせが、センサ応答の二次元分布の解像度が飛躍的に向上し最適であった。
抄録(英) Conductor-insulator-semiconductor (CIS) structure can be two or three electric terminal devices in which there is a more recently surface photovoltage (SPV) chemical sensor. SPV sensor devices are made of different thicknesses of silicon layer with silicon wafers SOI (Silicon on Insulator) wafers and 0.6μm with SOS (Silicon on Sapphire) wafer. The peak values of an a.c. photocurrent using silicon and SOI wafers are obtained at the wavelength of around 1000nm. The SOS type SPV sensor illuminated by green laser having the wavelength 543.5 nm is superior to achieve a satisfactory position and sensitivity precision to to conventional SPV sensors made of si wafer, for large scale integrated chemical sensor system.
キーワード(和) 集積化化学センサ / 化学センサ / イオンセンサ / ガスセンサ / 表面光電圧センサ
キーワード(英) SPV sensor / chemical sensor / LAPS / gas sensor / ion sensor / integrated chemical sensor
資料番号
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 1995/7/7(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 絶縁膜系電極と集積化化学センサ
サブタイトル(和)
タイトル(英) Development of Insulated Gate Electrodes and Integrated Chemical Sensors
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 集積化化学センサ / SPV sensor
キーワード(2)(和/英) 化学センサ / chemical sensor
キーワード(3)(和/英) イオンセンサ / LAPS
キーワード(4)(和/英) ガスセンサ / gas sensor
キーワード(5)(和/英) 表面光電圧センサ / ion sensor
第 1 著者 氏名(和/英) 伊藤 善孝 / Yoshitaka Ito
第 1 著者 所属(和/英) 新電元工業(株)研究開発センター
Research & Development Center, Shindengen Kogyo Co., LTD.
第 2 著者 氏名(和/英) 石川 孝明 / Takaaki Ishikawa
第 2 著者 所属(和/英) 新電元工業(株)研究開発センター
Research & Development Center, Shindengen Kogyo Co., LTD.
発表年月日 1995/7/7
資料番号
巻番号(vol) vol.95
号番号(no) 138
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日