| 講演名 | 1995/5/19 HWE法によるGaN薄膜成長と薄膜特性 山本 悦司, 鈴木 大介, 太田 正志, 桑原 正和, 榊原 慎吾, 中西 洋一郎, 石田 明広, 藤安 洋, |
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| 抄録(和) | ホットウォールエピタキシー(HWE)法により、サファイア基板上にGaNの成長を行った。サファイア基板上にGaNを成長させる場合、成長初期段階で如何に平坦なGaNを成長させるかが重要である。我々は窒化したサファイア基板上に低温でGaを蒸着し、その後NH_3雰囲気中でアニールすることにより、比較的平坦性の良いGaN初期層が形成できることを見出した。このGaN初期層の上にGaNの成長を行うことにより透明で鏡面をした結晶性良好なエピタキシャル膜が得られた。得られた薄膜のPL特性及び電気的特性についても述べる。 |
| 抄録(英) | GaN films were prepared on sapphire (0001) substrates by hot wall epitaxy (HWE). Initial growth is very important to prepare optically flat GaN films of high quality. We predeposited Ga layer on the sapphire substrate, forming droplet on the substrate, then nitrided it in the NH_3 flow to form GaN epitaxial initial layer. Relatively flat initial layer formation was confirmed from RHEED measurements. Optically flat GaN films were obtained growing them on the GaN initial layer. In this paper, growth characteristics and properties of the GaN films are described. |
| キーワード(和) | GaN / ホットウォールエピタキシー / 初期層 |
| キーワード(英) | GaN / hot wall epitaxy / initial layer |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1995/5/19(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | HWE法によるGaN薄膜成長と薄膜特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth and characteristics of GaN films prepared by HWE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ホットウォールエピタキシー / hot wall epitaxy |
| キーワード(3)（和/英） | 初期層 / initial layer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山本 悦司 / E. Yamamoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電子工学科 Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 鈴木 大介 / D. Suzuki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ASTI(株) ASTI |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 太田 正志 / M. Ohta |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス(株) Hamamatsu Photonics K.K. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 桑原 正和 / M. Kuwabara |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス(株) Hamamatsu Photonics K.K. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 榊原 慎吾 / S. Sakakibara |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ヤマハ(株) YAMAHA |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 中西 洋一郎 / Y. Nakanishi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 石田 明広 / A. Ishida |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電子工学科 Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 藤安 洋 / H. Fujiyasu |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電子工学科 Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 1995/5/19 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 40 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |