| 講演名 | 1995/5/19 MOVPE法によるGaAs基板上InP成長 高野 泰, 佐々木 輝夫, 永木 康文, 桑原 憲弘, 福家 俊郎, 今井 哲二, |
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| 抄録(和) | MOVPE法を用いてGaAs基板上にInPを二段階成長させた。InPエピ層の品質は初期層の成長においてV/III比を低くするほどよくなった。InPエピ層の様子を断面TEM、平面TEM、X線回折、PLを用いて評価した。400℃でのV/III比を20に下げたところ表面はより平坦になり、残留歪の値は小さくなった。また平面TEMのモアレ縞の様子から、場所による歪のゆらぎはV/III比を小さくするほど小さくなることが解った。 |
| 抄録(英) | Layers of InP grown on GaAs substrates by a two step growth using metalorganic vapor phase epitaxy have been investigated. The quality of InP layers on GaAs substrates was improved by growing an initial layer at a low V/III ratio. The InP layers were characterized by transmission electron microscopy. By lowering the V/III ratio to 20 during the growth of initial layers at 400℃, the surface became smooth and the residual strain of initial layers was reduced. |
| キーワード(和) | 格子不整合 / InP / 二段階成長 / 有機金属気相成長 / 透過電子顕微鏡観察 |
| キーワード(英) | lattice mismatch / indium phosphide / two-step growth / MOVPE / TEM |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1995/5/19(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOVPE法によるGaAs基板上InP成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Hetero-epitaxial growth of InP on GaAs substrates by organometallic vapor phase epitaxy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 格子不整合 / lattice mismatch |
| キーワード(2)（和/英） | InP / indium phosphide |
| キーワード(3)（和/英） | 二段階成長 / two-step growth |
| キーワード(4)（和/英） | 有機金属気相成長 / MOVPE |
| キーワード(5)（和/英） | 透過電子顕微鏡観察 / TEM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高野 泰 / Y. Takano |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部 Department of Electric and Electronics, Faculty of Engineering, Shizuoka Univ. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐々木 輝夫 / T. Sasaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部 Department of Electric and Electronics, Faculty of Engineering, Shizuoka Univ. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 永木 康文 / Y. Nagaki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部 Department of Electric and Electronics, Faculty of Engineering, Shizuoka Univ. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 桑原 憲弘 / N. Kuwahara |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部 Department of Electric and Electronics, Faculty of Engineering, Shizuoka Univ. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 福家 俊郎 / S. Fuke |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部 Department of Electric and Electronics, Faculty of Engineering, Shizuoka Univ. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 今井 哲二 / T. Imai |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 明星大学工学部 Meisei Univ. |
| 発表年月日 | 1995/5/19 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 40 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |