| 講演名 | 1995/5/19 水素ラジカル励起MOCVD法によるZnSeのエピタキシャル成長 青木 徹, 森田 元彦, 中西 洋一郎, 畑中 義則, |
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| 抄録(和) | 水素ラジカルMOCVD法によりジエチル亜鉛とセレン化水素からZnSeを成長した。水素ラジカルを導入することによって400℃以上の基板温度領域で、約4%の格子不整合があり無極性であるSi(100)基板上にZnSe(100)をエピタキシャル成長することが出来た。このエピタキシャル成長には表面反応が重要であり、水素ラジカルによる表面反応の促進、強調や弱い結合の脱離によってエピタキシャル成長が可能であったと考えられる。また、ラジカル源を窒素に置換あるいは混合することによって窒素ラジカルドーピングをすることが可能であることもわかった。 |
| 抄録(英) | ZnSe films were deposited by H-radical assisted MOCVD using diethylzinc and selenium hydrides. When the H radicals are introduced into the reaction site, epitaxial ZnSe(100) films could be obtained on Si(100) at substrate temperature over 400℃. It was found that surface reactions are important for the epitaxial growth. This surface reactions are supported by H-radicals. Moreover, wea bonds exist on the substrate surface are broken by H-radicals. Further, if the plasma is produced by N_2 gas, nitrogen doped ZnSe films could be obtained. |
| キーワード(和) | 水素ラジカル / 有機金属気相化学堆積法 / シリコン上エピタキシャル成長 / ZnSe / ラジカルドーピング |
| キーワード(英) | H-radical / MOCVD / Epitaxial growth on Si / ZnSe / Radical dope |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1995/5/19(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 水素ラジカル励起MOCVD法によるZnSeのエピタキシャル成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Epitaxial growth of ZnSe filmes in H-radical assistd MOCVD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 水素ラジカル / H-radical |
| キーワード(2)（和/英） | 有機金属気相化学堆積法 / MOCVD |
| キーワード(3)（和/英） | シリコン上エピタキシャル成長 / Epitaxial growth on Si |
| キーワード(4)（和/英） | ZnSe / ZnSe |
| キーワード(5)（和/英） | ラジカルドーピング / Radical dope |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 青木 徹 / T. Aoki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学大学院電子科学研究科 Graduate School of Electronic Science and Technology Shizuoka Univ. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森田 元彦 / M. Morita |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Res. Inst. of Electronics Shizuoka Univ. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中西 洋一郎 / Y. Nakanishi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学電子工学研究所 Graduate School of Electronic Science and Technology Shizuoka Univ.:Res. Inst. of Electronics Shizuoka Univ. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 畑中 義則 / Y. Hatanaka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学電子工学研究所 Graduate School of Electronic Science and Technology Shizuoka Univ.:Res. Inst. of Electronics Shizuoka Univ. |
| 発表年月日 | 1995/5/19 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 40 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |