講演名 1995/5/19
電気化学堆積法によるCdS薄膜のラマン散乱
白井 克典, 森口 幸久, 市村 正也, 宇佐美 晶, 佐治 学,
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抄録(和) CdSO_4とNa_2S_2O_3を含み、pH値を約2.5にした溶液から、ネサガラス(In_2O_3)基板上に、電気化学堆積(Electro Chemical Deposition)法によりCdS薄膜を作製した。光源にArイオンレーザー(514.5nm)を用いて、作製した試料のラマン散乱を測定した。この時、305cm^<-1>付近にCdSの縦型光学(LO)フォノンピークが観測された。アニール温度200~500℃で30分間アニールした場合、アニール温度が高くなるにつれてそのピークの半値幅は減少し、結晶性の向上が観測された。また、300℃と500℃でアニール時間を120分間まで変化させた。どちらの温度の場合も30分間アニールした場合が最も結晶性が良かった。
抄録(英) CdS films were electrochemically deposited from acid solutions (pH=2.5) containing CdSO_4 and Na_2S_2O_3. The substrate was indium-oxide coated glass. The Raman scattering of these films was measured using the 514.5nm line of an Ar ion laser as a light source. The longitudinal-optical (LO) phonon peak of CdS was observed. The deposited films were annealed for 30 min at 200-500℃. As the annealing temperature was raised, the full-width at half-maximum (FWHM) of the peaks decreased and the crystallinity was improved. The annealing time was changed up to 120min at 300 and 500℃. For both the temperatures, the crystallinity of the film annealed for 30min was best.
キーワード(和) 電気化学堆積法 / CdS / ラマン散乱 / アニール
キーワード(英) electrochemical deposition / CdS / Raman scattering / annealing
資料番号
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 1995/5/19(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 電気化学堆積法によるCdS薄膜のラマン散乱
サブタイトル(和)
タイトル(英) Raman scattering of electrochemically deposited CdS thin films
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 電気化学堆積法 / electrochemical deposition
キーワード(2)(和/英) CdS / CdS
キーワード(3)(和/英) ラマン散乱 / Raman scattering
キーワード(4)(和/英) アニール / annealing
第 1 著者 氏名(和/英) 白井 克典 / Katsunori Shirai
第 1 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学電気情報工学科
Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 森口 幸久 / Yukihisa Moriguchi
第 2 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学電気情報工学科
Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 市村 正也 / Masaya Ichimura
第 3 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学共同研究センター
Center for Cooperative Research Nagoya Institute of Technology
第 4 著者 氏名(和/英) 宇佐美 晶 / Akira Usami
第 4 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学電気情報工学科
Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology
第 5 著者 氏名(和/英) 佐治 学 / Manabu Saji
第 5 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学電気情報工学科
Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology
発表年月日 1995/5/19
資料番号
巻番号(vol) vol.95
号番号(no) 40
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日