| 講演名 | 1995/5/19 電気化学堆積法によるCdS薄膜のラマン散乱 白井 克典, 森口 幸久, 市村 正也, 宇佐美 晶, 佐治 学, |
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| 抄録(和) | CdSO_4とNa_2S_2O_3を含み、pH値を約2.5にした溶液から、ネサガラス(In_2O_3)基板上に、電気化学堆積(Electro Chemical Deposition)法によりCdS薄膜を作製した。光源にArイオンレーザー(514.5nm)を用いて、作製した試料のラマン散乱を測定した。この時、305cm^<-1>付近にCdSの縦型光学(LO)フォノンピークが観測された。アニール温度200～500℃で30分間アニールした場合、アニール温度が高くなるにつれてそのピークの半値幅は減少し、結晶性の向上が観測された。また、300℃と500℃でアニール時間を120分間まで変化させた。どちらの温度の場合も30分間アニールした場合が最も結晶性が良かった。 |
| 抄録(英) | CdS films were electrochemically deposited from acid solutions (pH=2.5) containing CdSO_4 and Na_2S_2O_3. The substrate was indium-oxide coated glass. The Raman scattering of these films was measured using the 514.5nm line of an Ar ion laser as a light source. The longitudinal-optical (LO) phonon peak of CdS was observed. The deposited films were annealed for 30 min at 200-500℃. As the annealing temperature was raised, the full-width at half-maximum (FWHM) of the peaks decreased and the crystallinity was improved. The annealing time was changed up to 120min at 300 and 500℃. For both the temperatures, the crystallinity of the film annealed for 30min was best. |
| キーワード(和) | 電気化学堆積法 / CdS / ラマン散乱 / アニール |
| キーワード(英) | electrochemical deposition / CdS / Raman scattering / annealing |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1995/5/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 電気化学堆積法によるCdS薄膜のラマン散乱 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Raman scattering of electrochemically deposited CdS thin films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電気化学堆積法 / electrochemical deposition |
| キーワード(2)（和/英） | CdS / CdS |
| キーワード(3)（和/英） | ラマン散乱 / Raman scattering |
| キーワード(4)（和/英） | アニール / annealing |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 白井 克典 / Katsunori Shirai |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森口 幸久 / Yukihisa Moriguchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya Ichimura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学共同研究センター Center for Cooperative Research Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 宇佐美 晶 / Akira Usami |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 佐治 学 / Manabu Saji |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1995/5/19 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 40 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |