| 講演名 | 1995/5/19 yo-yo溶質供給法によるGaAsの液相成長 金井 宏, 角辻 文康, 木村 雅和, 田中 昭, 助川 徳三, |
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| 抄録(和) | yo-yo溶質供給法は筆者等の研究室で開発された新しい液相成長法(LPE法)で,その成長においては,溶質と溶媒の密度差が重要なパラメータである。溶質と溶媒の密度が非常に接近しているGaAs系についてその適用を考え,水平に配置した2枚の基板の間に溶液を挿入した系で,成長及び溶解の実験を行ったところ,溶解は主に下側基板上に起こり,成長は主に上側基板上に起こることが明らかになった。この結果をふまえて8サイクルのyo-yo溶質供給法による成長を行ったところ,上側基板上に約50μmの厚い成長層が得られた。 |
| 抄録(英) | We have developed a new LPE technique using the difference in specific gravity between solute and solvent, called the yo-yo solute feeding method. We examined the epitaxial growth and dissolution of GaAs using the horizontal "sandwitch" system. With an galium solvent, it was found that dissolution of GaAs in solution occurs mainly on the lower substrate, while growth on the upper substrate was grater than that on the lower substrate. Thick layers of about 50μm were successfully obtained by the yo-yo solute feeding method with 8 yo-yo repetition times. |
| キーワード(和) | 液相成長 / GaAs / 重力 |
| キーワード(英) | LPE / GaAs / Gravity |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1995/5/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | yo-yo溶質供給法によるGaAsの液相成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | LPE growth of GaAs by yo-yo solute feeding method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 液相成長 / LPE |
| キーワード(2)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(3)（和/英） | 重力 / Gravity |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 金井 宏 / Hiroshi Kanai |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 角辻 文康 / Fumiyasu Kadotsuji |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 木村 雅和 / Masakazu Kimura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 田中 昭 / Akira Tanaka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 助川 徳三 / Tokuzo Sukegawa |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 1995/5/19 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 40 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |