| 講演名 | 1995/5/19 InPおよびGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長 元垣内 敦司, 鵜殿 治彦, 勝野 廣宣, 木村 雅和, 田中 昭, 助川 徳三, |
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| 抄録(和) | 組成変換法によりGaP基板上に任意組成のGaAsP混晶を成長させることに成功している。この方法を用いてGaP基板上にGaInP混晶を得るために、まず始めにGaP基板上へのInPの直接成長を行い、格子不整が7.5%もあるにもかかわらず良好な成長層を得ることに成功した。引き続いてこのInP層上にGa-In-P溶液を一定温度で一定時間接触させて熱処理を行うことにより、全ての組成範囲においてInP層をGaInP混晶に変換でき、さらに変換は30分で完了することが明らかになった。 |
| 抄録(英) | We had succeeded to grow GaAsP layers with a desired composition on GaP substrates by the compositional conversion technique. In order to grow GaInP alloy layers on GaP substrates by this technique, we carried out the growth of InP on GaP first. Fairly good InP layers were obtained, though there was 7.5% lattice-mismatch between InP and GaP. Afterwards, we can convert InP layers into GaInP alloy layers with any compositional range by contacting Ga-In-P solution with InP layer at a constant temperature for a constant time. It was cleared that the compositional conversion was completed in 30 minutes. |
| キーワード(和) | 組成変換 / InP / GaInP混晶 / 格子不整 / 液相成長 / ヘテロエピタキシー |
| キーワード(英) | compositionl conversion / InP / GaInP alloy / lattice-mismatch / liquid phase epitaxy / hetero-epitaxy |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1995/5/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InPおよびGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of InP and GaInP alloy on GaP by liquid phase epitaxy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 組成変換 / compositionl conversion |
| キーワード(2)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(3)（和/英） | GaInP混晶 / GaInP alloy |
| キーワード(4)（和/英） | 格子不整 / lattice-mismatch |
| キーワード(5)（和/英） | 液相成長 / liquid phase epitaxy |
| キーワード(6)（和/英） | ヘテロエピタキシー / hetero-epitaxy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 元垣内 敦司 / Atsushi Motogaito |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 鵜殿 治彦 / Haruhiko Udono |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 勝野 廣宣 / Hironobu Katsuno |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 木村 雅和 / Masakazu Kimura |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 田中 昭 / Akira Tanaka |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 助川 徳三 / Tokuzo Sukegawa |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 1995/5/19 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 40 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |