| 講演名 | 1995/5/19 液相成長法によるInGaAs/GaAsヘテロエピタキシー 熊川 征司, 菊澤 充男, 柳田 浩行, 小山 忠信, 早川 泰弘, |
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| 抄録(和) | プラズマ蒸着法によりGaAs基板に窒化シリコン膜を形成した後、ホトリソグラフィー技術を用いて、[110]または[112]方向にストライプ状の窓を形成した。液相成長法により、横方向成長を利用して窒化シリコン膜上にIn_xGa_<1-x>As(x=0.035)層を成長させた。窒化シリコン膜上の成長層は単結晶であること、横方向に広がる速さは成長最前面が(111)A面の方が(111)B面に比べ速いこと、基板の転位が窒化シリコン膜によって伝搬が妨げられ、横方向成長中の転位によるエッチピット密度はGaAs基板上の成長層に比べて約1/100に減少すること等がわかった。 |
| 抄録(英) | InGaAs layers were grown on SiN_x-masked GaAs (111) B substrates by liquid phase epitaxial method. The mesas were oriented along the [110] and [112] directions. InGaAs was grown on the GaAs substrate, and its thin crystal expanded laterally over the amorphous SiN_x layer. The etch pit density in the laterally grown layer reduced to about 1/100 of the value in the layer directly grown on the Substrate. TEM images clearly showed that the propagation of the dislocation was blocked at the SiN_x layer. |
| キーワード(和) | 液相成長法 / 溝付きガリウムひ素基板 / インジウムガリウムひ素 / 横方向成長 / 転位 |
| キーワード(英) | LPE / Patterned GaAs substrate / InGaAs / ELO / dislocation |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1995/5/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 液相成長法によるInGaAs/GaAsヘテロエピタキシー |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | InGaAs/GaAs Heteroepitaxy by Liquid Phase Epitaxy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 液相成長法 / LPE |
| キーワード(2)（和/英） | 溝付きガリウムひ素基板 / Patterned GaAs substrate |
| キーワード(3)（和/英） | インジウムガリウムひ素 / InGaAs |
| キーワード(4)（和/英） | 横方向成長 / ELO |
| キーワード(5)（和/英） | 転位 / dislocation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 熊川 征司 / M. Kumagawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 菊澤 充男 / M. Kikuzawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 柳田 浩行 / H. Yanagida |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小山 忠信 / T. Koyama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 早川 泰弘 / Y. Hayakawa |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 1995/5/19 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 40 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |