| 講演名 | 1995/5/19 高品質InAsSb系混晶の液相成長と中赤外光デバイスへの応用 〓 秀英, 牧野 貴光, 菅 博文, 萬行 厚雄, 青山 満, 山口 十六夫, 早川 秦弘, 熊川 征司, Rowell L. N., |
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| 抄録(和) | (100)InAs基板上に単層のGaInAsSb及び多層のInAsSbを液相エピタキシャル成長させた。成長メルトに微量のGdを添加することによりエピ層の純度が向上することをVander Pauw測定,PL測定,SIMS測定によって確認した。成長エピ層を用いてメサ構造のデバイスを作製し,デバイスの分光感度特性をFT-IR分光光度計で測定した結果,感度ピーク波長がInAsデバイスのものより長波長側にシフトし高い感度のものが得られることが分かった。InAsSbエピ層デバイスの分光感度特性及び短絡光電流の温度依存を測定したところ,ある温度で最大感度を与える結果が得られた。 |
| 抄録(英) | Single layers of GaInAsSb and multi layers of InAsSb were grown on (100)InAs substrate using a liquid phase epitaxial technique. Gettering action of Gd in the growth melt was confirmed by Van der Pauw, PL and SIMS method. MESA structure photo devices were fabricated and temperature dependence of characteristic spectra as well as mean values of short circuit photo currents were measured by FT-IR. It is shown that the peak wave length of the photo current shifts to longer wave length region than that of InAs device and the sensitivity is high and that the maximum sensitivity temperature is between RT and 77K. |
| キーワード(和) | GaInAsSb / InAsSb / ゲッタリング効果 / カットオフ波長 / 短絡光電流 |
| キーワード(英) | GaInAsSb / InAsSb / gettering action / cutoff wavelength / short circuit photo current |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1995/5/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高品質InAsSb系混晶の液相成長と中赤外光デバイスへの応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Liquid Phase Epitaxial Growth of High Quality InAsSb Mixed Crystals and Its Application to Mid-Infrared Devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaInAsSb / GaInAsSb |
| キーワード(2)（和/英） | InAsSb / InAsSb |
| キーワード(3)（和/英） | ゲッタリング効果 / gettering action |
| キーワード(4)（和/英） | カットオフ波長 / cutoff wavelength |
| キーワード(5)（和/英） | 短絡光電流 / short circuit photo current |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 〓 秀英 / Xiuying Gong |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス(株)中央研究所 Central Research Laboratory, Hamamatsu Photonics K.K. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 牧野 貴光 / Takamitsu Makino |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス(株)中央研究所 Central Research Laboratory, Hamamatsu Photonics K.K. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 菅 博文 / Hirofumi Kan |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス(株)中央研究所 Central Research Laboratory, Hamamatsu Photonics K.K. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 萬行 厚雄 / Atsuo Mangyo |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 青山 満 / Mitsuru Aoyama |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 山口 十六夫 / Tomuo Yamaguchi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 早川 秦弘 / Yasuhiro Hayakawa |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 熊川 征司 / Masashi Kumagawa |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | Rowell L. N. / N.L. Rowell |
| 第 9 著者 所属（和/英） | カナダ度量衡研究所 Institute for National Measurement Standards, National Research Council |
| 発表年月日 | 1995/5/19 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 40 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |