講演名 1995/10/20
Sn-Ag系鉛フリーはんだとCuの界面 ; 接合界面の微細組織と機械的特性
中瀬 裕文, 菅沼 克昭, 中村 義一,
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抄録(和) 鉛フリーはんだとしてSn-(0~4.wt%)Ag合金を作製し,Cuのはんだ付けを行った.従来のSn-Pb共晶はんだと比較しながら,接合界面の微細組織と機械的特性を調べた.Sn-Agがはんだは,ぬれ性はSn-pb共晶はんだより劣るが,Snよりは優れている.但し,Agの添加量はぬれ性にほとんど影響を及ぼさない.何れの界面もCu_3Sn,Cu_6Sn_5の2層の金属間化合物層が形成される.Sn-Agはんだ中には,Ag_3Snがネットワークを形成し微細組織を作り,Agの添加量が増すほどネットワークはより微細化する.接合強度は,Sn-Agがはんだがより高い値を示す.
抄録(英) The strenghth and microstructure of the Sn-(0~4.wt%)Ag solder/Cu interface were evaluated by comparing with Sn-37wt%Pb eutectic solder. Wettability of Sn-Ag solders on Cu is inferior to Sn-37wt%Pb, but superior to pure Sn. The content of Ag in solder has little influence on wetting. Cu_3Sn and Cu_6Sn_5 intermetanllic layers were found afer soldering at al1 interfaces. Sn-Ag solders show the fine dispersion structure of Ag_3Sn. Ag_3Sn particles form fine networks inside grains. The size of the networks depends on the content of Ag. Higher amount of Ag makes the finer networks. The soldering strength of Sn-Ag alloys is higher than those of pure Sn and Sn-Pb.
キーワード(和) 鉛フリー / はんだ / Sn-Ag / 界面 / 微細組織 / 強度 / 金属間化合物層
キーワード(英) lead-free / solder / Sn-Ag / interface / strength / microstructure / intermetallic layer
資料番号 CPM95-81
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 1995/10/20(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) Sn-Ag系鉛フリーはんだとCuの界面 ; 接合界面の微細組織と機械的特性
サブタイトル(和)
タイトル(英) Interface of Sn-Ag lead-free solder and Cu ; Strengh and microstrtlcture of Sn-Ag/Cu interface
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 鉛フリー / lead-free
キーワード(2)(和/英) はんだ / solder
キーワード(3)(和/英) Sn-Ag / Sn-Ag
キーワード(4)(和/英) 界面 / interface
キーワード(5)(和/英) 微細組織 / strength
キーワード(6)(和/英) 強度 / microstructure
キーワード(7)(和/英) 金属間化合物層 / intermetallic layer
第 1 著者 氏名(和/英) 中瀬 裕文 / Hirofumi Nakase
第 1 著者 所属(和/英) 防衛大 材料物性工学教室
Department of Material Science and Engineering, National Defense Academy
第 2 著者 氏名(和/英) 菅沼 克昭 / Kastuaki Suganumna
第 2 著者 所属(和/英) 防衛大 材料物性工学教室
Department of Material Science and Engineering, National Defense Academy
第 3 著者 氏名(和/英) 中村 義一 / Yoshikazu Nakamura
第 3 著者 所属(和/英) 防衛大 材料物性工学教室
Department of Material Science and Engineering, National Defense Academy
発表年月日 1995/10/20
資料番号 CPM95-81
巻番号(vol) vol.95
号番号(no) 332
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日