| 講演名 | 1996/8/20 導波路型受光素子の実装許容度の構造依存性 西片 一昭, 平岩 浩二, 清水 均, 岩井 則広, 山中 信光, 粕川 秋彦, |
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| 抄録(和) | 長波長帯の導波路型PIN受光素子は, 光双方向通信モジュールへの実装が容易, 高速, 他のデバイスとの集積化が可能などの特徴がある. 本研究では, 導波路の層構造, 材料を変えて試作し, 感度, 実装許容度, 暗電流がどのように変化するかを調べた. 1.3μm光に対して感度, 実装許容度が最大であるのは, 厚さ3μmのGaInAsP (波長1.4μm) の光吸収層の場合で, 感度は0.36A/W, 0.5dB低下の許容度は±2.3μmであった.暗電流が最も低いのは厚さ0.4μmのA1GaInAs (波長1.4μm) の光吸収帽の場合で, 20pA (逆バイアス-3V印加時) であった. このような良好の特性の導波路型受光素子は, 今後ますます利用されていくものと期待される. |
| 抄録(英) | Long-Wavelength PIN waveguide photodiodes (PDs) are promising because they have some features, for example, easy integration to optical bidirectional modules, high speed, and easy monolithic integration with another devices. In this work, we studied the dependence of sensitivity, coupling tolerance, and dark current on epitaxial-film structures and materials. The waveguide photodiodes with a 3 μm thick absorption layer of GaInAsP (1.4μm) had a sensitivity as high as 0.96A/W and a 0.5dB tolerance as large as ±2.3μm. In the case of the PDs with a 0.4μm thick A1GaInAs absorption layer, the dark current was as low as 20pA at the reverse bias voltage of 3V. The waveguide photodiode which has such excellent characteristics is an alternative of a conventional surface-illuminated PD. |
| キーワード(和) | 光双方向通信モジュール / 導波路型受光素子 / 実装許容度 / 暗電流 |
| キーワード(英) | Bidirectional module / PIN waveguide photodiode / Coupling tolerance / Dark current |
| 資料番号 | EDM-96-31,CPM-96-54,OPE-96-53,LQE-96-55 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1996/8/20(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 導波路型受光素子の実装許容度の構造依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Structural Dependence of Coupling Tolerance for Waveguide Photodiodes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光双方向通信モジュール / Bidirectional module |
| キーワード(2)（和/英） | 導波路型受光素子 / PIN waveguide photodiode |
| キーワード(3)（和/英） | 実装許容度 / Coupling tolerance |
| キーワード(4)（和/英） | 暗電流 / Dark current |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 西片 一昭 / K. Nishikata |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 古河電工(株) 横浜研究所 Yokohama R&D Laboratories, The Furukawa Electric Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 平岩 浩二 / K. Hiraiwa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 古河電工(株) 横浜研究所 Yokohama R&D Laboratories, The Furukawa Electric Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 清水 均 / H. Shimizu |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 古河電工(株) 横浜研究所 Yokohama R&D Laboratories, The Furukawa Electric Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岩井 則広 / N. Iwai |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 古河電工(株) 横浜研究所 Yokohama R&D Laboratories, The Furukawa Electric Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山中 信光 / N. Yamanaka |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 古河電工(株) 横浜研究所 Yokohama R&D Laboratories, The Furukawa Electric Co., Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 粕川 秋彦 / A. Kasukawa |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 古河電工(株) 横浜研究所 Yokohama R&D Laboratories, The Furukawa Electric Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 1996/8/20 |
| 資料番号 | EDM-96-31,CPM-96-54,OPE-96-53,LQE-96-55 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 218 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |