| 講演名 | 1996/6/21 RFスパッタリング法によるSnO_2薄膜の膜構造とガス感度特性 国元 晃, 田村 春香, 中野内 幸雄, |
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| 抄録(和) | SnO_2単体膜を用いて、スパッタ成膜条件がSnO_2膜の微細構造に及ぼす影響を調ぺ、それらとガス感度特性との関係を明らかにし、薄膜型半導体ガスセンサにおける感度特性の要因メカニズムの究明を行った。その結果、特にスパッタ成膜時のガス圧力に膜粒子形態が大きく影響され、高ガス圧ほどSnO_2粒子径が増大し、粒子間隔も広がることが判明した。熱処理によって更にこの傾向は顕著になった。これらの異なった膜構造と感度特性との関係を調べた結果、水素、アルコールに対しては膜密度が低く、膜粒子が粗いほど感度が高かった。応答性では膜密度が高く、繊密な膜構造で速い応答性を示した。これよりSnO_2膜では粒子の形態、及び粒子間隙の大きさで感度特性が著しく影響されることが確認され、SnO_2膜内部へのガス拡散も大きく感度に寄与することが判明した。 |
| 抄録(英) | The influence of RF-Sputtering conditions on the micro-structures in SnO_2 thin films were investigated, and the mechanism of gas sensitivity in that was studied. As a result, the micro-structure (morphology) of SnO_2 thin films were well affected by sputtering gas pressures. In this case, the granular size of SnO_2 and distance between each other increased as the pressure was increased. Moreover post-annealing for the films accelerated that tendancy. For the gas sensitivity, the more porous the film structure was, the higher the sensitivity was. However the gas response time was just opposite to that. From these results, the sensitivity in SnO_2 thin films remarkably depends on the film porosity and diffusivity into the films. |
| キーワード(和) | ガスセンサ / SnO_2 / 薄膜 / RFスパッタリング / 膜形態 / ガス感度 |
| キーワード(英) | Gas-sensor / SnO_2 / Thin film / Sputtering / Micro-structure / Gas-sensitivity |
| 資料番号 | CPM96-29,OME96-16 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1996/6/21(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | RFスパッタリング法によるSnO_2薄膜の膜構造とガス感度特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Dependence of gas sensitivity on micro-structures in SnO_2 thin films deposited by RF-sputtering |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ガスセンサ / Gas-sensor |
| キーワード(2)（和/英） | SnO_2 / SnO_2 |
| キーワード(3)（和/英） | 薄膜 / Thin film |
| キーワード(4)（和/英） | RFスパッタリング / Sputtering |
| キーワード(5)（和/英） | 膜形態 / Micro-structure |
| キーワード(6)（和/英） | ガス感度 / Gas-sensitivity |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 国元 晃 / Akira Kunimoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | リケン研究センター Technological Research Center, Riken Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田村 春香 / Haruka Tamura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | リケン研究センター Technological Research Center, Riken Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中野内 幸雄 / Yukio Nakanouchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | リケン研究センター Technological Research Center, Riken Corporation |
| 発表年月日 | 1996/6/21 |
| 資料番号 | CPM96-29,OME96-16 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 121 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |