| 講演名 | 1996/12/12 オンチップ銅配線セルフアラインパッシベーション技術 粟屋 信義, 小林 敏夫, |
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| 抄録(和) | オンチップ銅配線における銅表面の耐酸化性向上のためセルフアラインパッシベーション技術を開発した.熱処理により銅表面で銅とアルミニウムを反応させ金属間化合物形成するとともに, SiO2上の未反応アルミニウムを燐酸で除去する.さらに水素酸素混合ガス中での熱処理により耐酸化性を向上させる.パッシベーションを行った銅配線の抵抗上昇は5%と低く抑えられ,プラズマCVDSiO2との密着性の向上も確認された |
| 抄録(英) | Self-aligned passivation procedure for on chip copper interconnection has been developed to improve oxidation resistance. Al-Cu inter metallic compound was formed on copper wire by the annealing at 350C. The unreacted aluminum on SiO2 was selectively removed by a phosphoric acid treatment. Additional annealing in the gaseous mixture of H2 and O2 improved oxidation resistance of the passivation alloy. The increase in the resistance of the passivated copper wire pattern was also about 5%. The adhesion strength of plasma CVD SiO_2 on the copper was also improved by this method. |
| キーワード(和) | 集積回路 / LSI / 配線技術 / 銅 / 合金 / アルミニウム |
| キーワード(英) | Integrated circuit / LSI / Interconnection / copper / alloy / Aluminum |
| 資料番号 | CPM96-114 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1996/12/12(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | オンチップ銅配線セルフアラインパッシベーション技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Self-Aligned Passivation Technology for On-Chip Copper Interconnection |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 集積回路 / Integrated circuit |
| キーワード(2)（和/英） | LSI / LSI |
| キーワード(3)（和/英） | 配線技術 / Interconnection |
| キーワード(4)（和/英） | 銅 / copper |
| キーワード(5)（和/英） | 合金 / alloy |
| キーワード(6)（和/英） | アルミニウム / Aluminum |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 粟屋 信義 / Nobuyoshi Awaya |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTTシステムエレクトロニクス研究所 NTT System Electronics Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小林 敏夫 / Toshio Kobayashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTTシステムエレクトロニクス研究所 NTT System Electronics Laboratories |
| 発表年月日 | 1996/12/12 |
| 資料番号 | CPM96-114 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 413 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |