| 講演名 | 1996/11/8 S層R層交互積層膜の熱処理によるBaフェライト薄膜の作製 清水 英彦, 篠崎 秀明, 上原 功, 金 真一郎, 星 陽一, 加藤 景三, 金子 双男, 井川 博行, |
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| 抄録(和) | 本研究では、熱酸化シリコン基板上及びZnO下地層上にFe_3O_4層(S層)とBaO・3Fe_2O_3層(R層)を種々の基板温度で交互積層した後、空気中で熱処理を行い、Baフェライト薄膜を得ることを試みた。その結果、成膜時の基板温度やZnO下地層の有無により熱処理後のBaフェライト薄膜の配向性や磁気特性は大きく変化し、(1)低温で作製した膜ほど、低い熱処理温度でもBaMの結晶化が起こること、(2)基板温度200℃で作製した膜を熱処理するとc軸配向膜が得られること、(3)熱酸化シリコン基板上に直接積層した薄膜の方がZnO下地層上に積層した薄膜に比べBaM結晶子が成長し易い傾向が認められることが明らかとなった。 |
| 抄録(英) | In this study, formation of hexagonal barium ferrite (BaM) thin films were attempted by post annealing of the films with a layered structure. The sample film was prepared as follows: Fe_3O_4 layer of 4.6Å thick and BaO・3Fe_2O_3 layer of 6.9Å thick were deposited 100 times on ZnO coated and non-coated thermally oxidized silicon wafer substrate at various temperatures. Annealing was performed at a temperature in the range from 600℃ to 800℃. The crystallization temperature of the film increased from 700℃ to 800℃ as the deposition temperature increase from 25℃ to 400℃. Orientation of crystallites in the film also depended on the deposition temperature and the BaM film with c-axis orientated texture was obtained by annealing the film deposited at 200℃. The orientation of the film however, depended little on the ZnO underlayer, although the film deposited on ZnO underlayer had a much higher coercive force than the film deposited on thermally oxidized silicon wafer substrate. |
| キーワード(和) | Baフェライト薄膜 / ZnO下地層 / 基板温度 / 交互積層 / c軸配向 |
| キーワード(英) | barium ferrite / ZnO underlayer / substrate temperature / alternate deposition / orientation c-axis |
| 資料番号 | CPM96-113 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1996/11/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | S層R層交互積層膜の熱処理によるBaフェライト薄膜の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation of Ba-Ferrite Thin Films by Post-annealing of The Film Deposited by Means of Alternate S Layer and R Layer Deposition Method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Baフェライト薄膜 / barium ferrite |
| キーワード(2)（和/英） | ZnO下地層 / ZnO underlayer |
| キーワード(3)（和/英） | 基板温度 / substrate temperature |
| キーワード(4)（和/英） | 交互積層 / alternate deposition |
| キーワード(5)（和/英） | c軸配向 / orientation c-axis |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 清水 英彦 / H. Shimizu |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Niigata University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 篠崎 秀明 / H. Shinozaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工芸大学工学部 Tokyo Institute of Polytechnics |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 上原 功 / I. Uehara |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工芸大学工学部 Tokyo Institute of Polytechnics |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 金 真一郎 / S. Kon |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工芸大学工学部 Tokyo Institute of Polytechnics |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 星 陽一 / Y. Hoshi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工芸大学工学部 Tokyo Institute of Polytechnics |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 加藤 景三 / K. Kato |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Niigata University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 金子 双男 / F. Kaneko |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Niigata University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 井川 博行 / H. Ikawa |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 神奈川工科大学工学部 Kanagawa Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1996/11/8 |
| 資料番号 | CPM96-113 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 350 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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