| 講演名 | 1996/11/8 Cu/W-nitride/Siコンタクト系におけるW-nitride薄膜のバリヤ特性 武山 真弓, 野矢 厚, |
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| 抄録(和) | 我々は、反応性スパッタによって種々のWN_x薄膜を作製し、そのキャラクタリゼーション及びCu/WN_x/Siコンタクト系におけるWN_x膜のバリヤ特性についての検討を行った。その結果、W_2N(111)面の高配向成長を示したW_<65>N_<35>バリヤはCuメタライゼーションにとって優れたバリヤ特性を示すことがわかり、Cu/W_<65>N_<35>/Siコンタクト系は800℃で1時間の熱処理後においても安定なコンタクトを実現することが明らかとなった。このことは、作製したW2_Nバリヤ自身の優れた特性、すなわち不純物等の混入が見られないこと、結晶性が良好であること、更に熱処理によって構造変化を起こさないこと等によるものであることが知られた。 |
| 抄録(英) | We have prepared the WN_x thin films with various composition by reactive sputtering, and also investigated their characterizations and the thermal stability of the Cu/WN_x/Si contact system using the obtained WN_x films. The results indicate that the W_<65>N_<35> barrier consisting of W_2N phase with the (111) preferred orientation shows the excellent barrier properties for Cu metallization. The obtained Cu/W_<65>N_<35>/Si contact system is fairly stable up to the annealing temperature at 800℃ or above. This is probably because the excellent properties of the W_2N film, such as impurity free, good crystallinity, and scarce change in structure due to annealing, lead to the thermal stability of the contact system. |
| キーワード(和) | Cu配線 / 高配向成長 / 熱的安定性 / 窒化物 / 拡散バリヤ |
| キーワード(英) | Cu metallization / preferential orientation / thermal stability / nitride / diffusion barrier |
| 資料番号 | CPM96-107 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1996/11/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Cu/W-nitride/Siコンタクト系におけるW-nitride薄膜のバリヤ特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Barrier properties of W-nitride in the Cu/W-nitride/Si contact system |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cu配線 / Cu metallization |
| キーワード(2)（和/英） | 高配向成長 / preferential orientation |
| キーワード(3)（和/英） | 熱的安定性 / thermal stability |
| キーワード(4)（和/英） | 窒化物 / nitride |
| キーワード(5)（和/英） | 拡散バリヤ / diffusion barrier |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 武山 真弓 / Mayumi TAKEYAMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 野矢 厚 / Atsushi NOYA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1996/11/8 |
| 資料番号 | CPM96-107 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 350 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |