| 講演名 | 1996/11/7 レーザアブレーションによるPZT強誘電体薄膜用Ti-Al-N電極の検討 森本 章治, 重野 英樹, 清水 立生, 米沢 保人, |
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| 抄録(和) | PZTなどの強誘電体酸化物薄膜の電極材料として、TiNに耐酸化性改善のためAlを添加したTi-Al-N(TANと略)をパルスレーザアブレーション(PLA)で作製条件を変えて作製し、結晶構造評価や電気特性の評価を行った。その結果、用いるターゲットの密度を増加させることにより、結晶成長が促進される傾向にあることがわかった。また、作製されたTAN薄膜の結晶成長、混入酸素濃度、表面形態や電気伝導度はPLA時の雰囲気窒素圧力に大きく依存することがわかった。すなわち、雰囲気として微量の窒素ガスを導入することによりTAN薄膜の結晶成長が促進され、酸素濃度が低減された。しかし、過剰な雰囲気窒素圧力の増加は、再び酸素濃度を増加させ、薄膜の表面形態を劣化させ、結晶成長を阻害することがわかった。 |
| 抄録(英) | For oxidation-resistant electrode of PZT ferroelectric capacitors, Ti-Al-N(TAN) thin films were prepared by pulsed laser ablation, and the crystal structure, the oxygen content, the surface morphology and the electrical resistivity were characterized. The experiments revealed that an increase in the ablation target density brings about an enhancement of the crystal growth. The experiment of the nitrogen pressure dependence of the prepared TAN films demonstrated that the increase in the nitrogen pressure up to 1.3 Pa reduces the oxygen impurity content and enhances the crystal growth. Further increase in the nitrogen pressure up to 130 Pa increased the oxygen content and the electrical resistivity, degraded the surface morphology and largely reduced the crystal growth. |
| キーワード(和) | レーザアブレーション / Ti-Al-N電極 / PZT強誘電体薄膜 / 雰囲気圧力依存性 |
| キーワード(英) | pulsed laser ablation / Ti-Al-N electrode / PZT ferroelectric films / ablation pressure dependence |
| 資料番号 | CPM96-100 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1996/11/7(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | レーザアブレーションによるPZT強誘電体薄膜用Ti-Al-N電極の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study of Ti-Al-N Electrode Films Prepared by Pulsed Laser Ablation for PZT Ferroelectric Capacitors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | レーザアブレーション / pulsed laser ablation |
| キーワード(2)（和/英） | Ti-Al-N電極 / Ti-Al-N electrode |
| キーワード(3)（和/英） | PZT強誘電体薄膜 / PZT ferroelectric films |
| キーワード(4)（和/英） | 雰囲気圧力依存性 / ablation pressure dependence |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 森本 章治 / Akiharu Morimoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢大学工学部電気・情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Faculty of Engineering, Kanazawa University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 重野 英樹 / Hideki Shigeno |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢大学工学部電気・情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Faculty of Engineering, Kanazawa University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 清水 立生 / Tatsuo Shimizu |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢大学工学部電気・情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Faculty of Engineering, Kanazawa University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 米沢 保人 / Yasuto Yonezawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 石川県工業試験場 Industrial Research Institute of Ishikawa |
| 発表年月日 | 1996/11/7 |
| 資料番号 | CPM96-100 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 349 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |