| 講演名 | 1996/11/7 反応性スパッタ法によるSi基板上へのY組成制御YSZ薄膜のヘテロエピタキシャル成長 渡部 幹雄, 成瀬 哲哉, 増田 淳, 堀田 将, |
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| 抄録(和) | 反応性スパッタ法により、Y組成を制御したイットリア安定化ジルコニア(YSZ)薄膜をn-Si(100)基板上にヘテロエピタキシャル成長させ、その膜質を評価した。Y組成比2.3～19.7at.%の堆積膜は、立方晶YSZ(100)/Si(100)構造で、また、Y組成比1.2at.%の堆積膜は、単斜晶(ZrO_2)_<1-x>(Y_2O_3)_x(100)/立方晶YSZ(100)/Si(100)構造でヘテロエピタキシャル成長していることがわかった。電気的特性を評価した結果、Y組成比を1.2at.%まで低減することにより、5Vでの漏れ電流が約10^<-7>A/cm^2と減少し、さらに、電気容量(C)-電圧(V)特性におけるイオンドリフトによるヒステリシス幅も狭くなり、特性の向上が見られた。なお、1MHzのC-V特性の蓄積容量から求めた堆積膜の比誘電率は、Y組成を9.4から1.2at.%へと減少させると、24から16へと低下した。 |
| 抄録(英) | Yttria-stabilized zirconia (YSZ) films with controlled Y content were heteroepitaxially grown on n-Si (100) substrates by reactive sputtering and their material properties were investigated. It was found that the films deposited with 2.3 to 19.7at.% Y and with 1.2at.% Y had a cubic YSZ (100) structure and a monoclinic (ZrO_2)_<1-x>(Y_2O_3)_x(100)/cubic YSZ(100) structure, respectively, on Si (100) substrates. The leakage current of the film at the applied voltage of 5V was decreased to 10^<-7> A/cm^2 by reducing the Y content to 1.2 at.%. The capacitance (C)-voltage(V) characteristics of the samples showed the hysteresis curve derived from the ion drift and the hysteresis width of the sample with 1.2at.% Y was the narrowest in our study. The relative dielectric constant estimated from the C-V measurements at 1 MHz decreased from 24 to 16 with decreasing the Y content from 9.4 to 1.2 at%. |
| キーワード(和) | YSZ / Si / ヘテロエピタキシャル成長 / 反応性スパッタ / Y組成制御 / 立方晶 / 単斜晶 |
| キーワード(英) | YSZ / Si / Heteroepitaxial growth / Reactive sputtering / Control of Y content / Cubic system / Monoclinic system |
| 資料番号 | CPM96-98 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1996/11/7(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 反応性スパッタ法によるSi基板上へのY組成制御YSZ薄膜のヘテロエピタキシャル成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Heteroepitaxial growth of YSZ films with controlled Y content on Si by reactive sputtering |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | YSZ / YSZ |
| キーワード(2)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(3)（和/英） | ヘテロエピタキシャル成長 / Heteroepitaxial growth |
| キーワード(4)（和/英） | 反応性スパッタ / Reactive sputtering |
| キーワード(5)（和/英） | Y組成制御 / Control of Y content |
| キーワード(6)（和/英） | 立方晶 / Cubic system |
| キーワード(7)（和/英） | 単斜晶 / Monoclinic system |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡部 幹雄 / Mikio Watanabe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科 School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology, Hokuriku |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 成瀬 哲哉 / Tetsuya Naruse |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科 School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology, Hokuriku |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 増田 淳 / Atsushi Masuda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科 School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology, Hokuriku |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 堀田 将 / Susumu Horita |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科 School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology, Hokuriku |
| 発表年月日 | 1996/11/7 |
| 資料番号 | CPM96-98 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 349 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |