| 講演名 | 1996/11/7 反応性スパッタリングの新しい展開 : ターゲット構造からのアプローチ 畑 朋延, 岡田 洋和, 張 威暁, 佐々木 公洋, |
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| 抄録(和) | イットリヤ安定化ジルコニヤ(YSZ)やPZTなど電子デバイスに用いられる金属酸化物薄膜の多くは反応性スパッタリングで作製される。そのターゲットは金属またはセラミックである。ターゲットから金属原子で基板に飛来しそこで酸素と反応し堆積すれば、酸化物は金属より速く堆積する筈である。まず、YSZは(Zr+Y)ターゲットを用い、ターゲットが酸化しないように開口を設けた蓋で覆うと金属モードでもYSZが高速で堆積することが可能になった。この状態でエピタキシャル成長を試みたところ、容易にエピ成長させることに成功した。つぎに、(ZrTi+xPbO)を用いて、反応性スパッタリングでPZT薄膜を作成した。酸化物であるPZTを金属より速い堆積速度で、良質の薄膜を堆積することが出来た。これを"準金属モード"と名付けた。基礎実験に基づいて、"準金属モード"用混合物ターゲットを提案した。その効果、複合ターゲットの場合とほぼ同じ特性の膜を堆積することができ、有効性を確認することが出来た。 |
| 抄録(英) | Many oxide films for electron device such as YSZ and PZT are deposited by the reactive sputtering. In this paper we propose to deposit films by reacting the sputtered metallic particles and oxygen molecules on the substrate. YSZ thin film is deposited by the reactive sputtering from a composite Zr-Y alloy target in Ar-O_2 mixture gas. We protected metallic target from oxidation by the target cover with a 20-mm-diameter aperture. It was successful to deposit YSZ films in the metallic mode which is ten times higher deposition rate than the oxide mode. In this mode it was successful to growth YSZ heteroepitaxially on p-(100)Si. Next, we deposited PZT films by reactive sputtering using (ZrTi+xPbO) target at "quasi-metallic mode" which we found. Near -stoichiometric perovskite PZT films were obtained at a substrate temperature as low as 450℃. This technique is effective any oxide films. |
| キーワード(和) | YSZ / Si / PZT / ヘテロエピタキシー / 反応性スパッタリング / 金属モード / 準金属モード |
| キーワード(英) | YSZ / Si / PZT / heteroepitaxy / reactive sputtering / metallic mode |
| 資料番号 | CPM96-97 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1996/11/7(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 反応性スパッタリングの新しい展開 : ターゲット構造からのアプローチ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | New Prospects of Reactive Sputtering : Approached from Target Structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | YSZ / YSZ |
| キーワード(2)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(3)（和/英） | PZT / PZT |
| キーワード(4)（和/英） | ヘテロエピタキシー / heteroepitaxy |
| キーワード(5)（和/英） | 反応性スパッタリング / reactive sputtering |
| キーワード(6)（和/英） | 金属モード / metallic mode |
| キーワード(7)（和/英） | 準金属モード |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 畑 朋延 / Tomonobu HATA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢大学工学部電気・情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Kanazawa University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岡田 洋和 / Hirokazu Okada |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢大学工学部電気・情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Kanazawa University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 張 威暁 / WeiXiao Zhang |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢大学工学部電気・情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Kanazawa University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 佐々木 公洋 / Kimihiro SASAKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 金沢大学工学部電気・情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Kanazawa University |
| 発表年月日 | 1996/11/7 |
| 資料番号 | CPM96-97 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 349 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 9 |
| 発行日 | |